კერამიკული კონდენსატორები

GRM21BR71C475KE51K

GRM21BR71C475KE51K

ნაწილი საფონდო: 3665

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM0335C1E1R1CD03D

GCM0335C1E1R1CD03D

ნაწილი საფონდო: 7456

ტევადობა: 1.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C2A9R5DZ01D

GRM2195C2A9R5DZ01D

ნაწილი საფონდო: 4808

ტევადობა: 9.5pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196P2A100JZ01D

GRM2196P2A100JZ01D

ნაწილი საფონდო: 949

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GA342D1XGD220JY02L

GA342D1XGD220JY02L

ნაწილი საფონდო: 1943

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196P2A120JZ01D

GRM2196P2A120JZ01D

ნაწილი საფონდო: 8148

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E5R7DD01D

GRM0335C1E5R7DD01D

ნაწილი საფონდო: 8428

ტევადობა: 5.7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C2A7R6DZ01D

GRM2195C2A7R6DZ01D

ნაწილი საფონდო: 6513

ტევადობა: 7.6pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556T1H110GD01D

GRM1556T1H110GD01D

ნაწილი საფონდო: 2548

ტევადობა: 11pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556T1H101GD01D

GRM1556T1H101GD01D

ნაწილი საფონდო: 8303

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1H9R2DD01D

GRM0337U1H9R2DD01D

ნაწილი საფონდო: 5550

ტევადობა: 9.2pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556T1H150JD01D

GRM1556T1H150JD01D

ნაწილი საფონდო: 2488

ტევადობა: 15pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1H8R8DD01D

GRM0337U1H8R8DD01D

ნაწილი საფონდო: 6964

ტევადობა: 8.8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DHS4E4D281KC2B

DHS4E4D281KC2B

ნაწილი საფონდო: 3143

ტევადობა: 280pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 20000V (20kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: N4700, ოპერაციული ტემპერატურა: 20°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM0335C1E5R5DD01D

GRM0335C1E5R5DD01D

ნაწილი საფონდო: 9271

ტევადობა: 5.5pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DHS4E4D402KT2B

DHS4E4D402KT2B

ნაწილი საფონდო: 1172

ტევადობა: 4000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 20000V (20kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: N4700, ოპერაციული ტემპერატურა: 20°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM2196P2A160JZ01D

GRM2196P2A160JZ01D

ნაწილი საფონდო: 9004

ტევადობა: 16pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E4R5BD01D

GRM0335C1E4R5BD01D

ნაწილი საფონდო: 6714

ტევადობა: 4.5pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S2A150JZ01D

GRM1886S2A150JZ01D

ნაწილი საფონდო: 3525

ტევადობა: 15pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H9R9DZ01D

GRM1886S1H9R9DZ01D

ნაწილი საფონდო: 734

ტევადობა: 9.9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM0335C1E1R3CD03D

GCM0335C1E1R3CD03D

ნაწილი საფონდო: 965

ტევადობა: 1.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C2A9R1DZ01D

GRM2195C2A9R1DZ01D

ნაწილი საფონდო: 7339

ტევადობა: 9.1pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H9R5DZ01D

GRM1886S1H9R5DZ01D

ნაწილი საფონდო: 7954

ტევადობა: 9.5pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM0335C1E1R8CD03D

GCM0335C1E1R8CD03D

ნაწილი საფონდო: 2760

ტევადობა: 1.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E4R8CD01D

GRM0335C1E4R8CD01D

ნაწილი საფონდო: 4638

ტევადობა: 4.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E5R6DD01J

GRM0335C1E5R6DD01J

ნაწილი საფონდო: 4526

ტევადობა: 5.6pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E5R7CD01D

GRM0335C1E5R7CD01D

ნაწილი საფონდო: 9468

ტევადობა: 5.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C2A7R8DZ01D

GRM2195C2A7R8DZ01D

ნაწილი საფონდო: 2303

ტევადობა: 7.8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C2AR80CD01D

GRM2195C2AR80CD01D

ნაწილი საფონდო: 1728

ტევადობა: 0.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H8R9DZ01D

GRM1886S1H8R9DZ01D

ნაწილი საფონდო: 3481

ტევადობა: 8.9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556T1H130JD01D

GRM1556T1H130JD01D

ნაწილი საფონდო: 3741

ტევადობა: 13pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1HR40CD01D

GRM1886S1HR40CD01D

ნაწილი საფონდო: 7505

ტევადობა: 0.4pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DHS4E4D142MLXB

DHS4E4D142MLXB

ნაწილი საფონდო: 2210

ტევადობა: 1400pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 20000V (20kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: N4700, ოპერაციული ტემპერატურა: 20°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GA342D1XGD180JY02L

GA342D1XGD180JY02L

ნაწილი საფონდო: 9672

ტევადობა: 18pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556T1H130GD01D

GRM1556T1H130GD01D

ნაწილი საფონდო: 8606

ტევადობა: 13pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E620GD01D

GRM0335C1E620GD01D

ნაწილი საფონდო: 4583

ტევადობა: 62pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი