კერამიკული კონდენსატორები

GCM0335C1E110JD03D

GCM0335C1E110JD03D

ნაწილი საფონდო: 4029

ტევადობა: 11pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1H8R4CD01D

GRM0337U1H8R4CD01D

ნაწილი საფონდო: 3584

ტევადობა: 8.4pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E4R4CD01D

GRM0335C1E4R4CD01D

ნაწილი საფონდო: 963

ტევადობა: 4.4pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C2A5R9DD01D

GRM2195C2A5R9DD01D

ნაწილი საფონდო: 6704

ტევადობა: 5.9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1HR60BD01D

GRM1556S1HR60BD01D

ნაწილი საფონდო: 6594

ტევადობა: 0.6pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E6R0DD01J

GRM0335C1E6R0DD01J

ნაწილი საფონდო: 8658

ტევადობა: 6pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H8R8DA01D

GRM1885C1H8R8DA01D

ნაწილი საფონდო: 108220

ტევადობა: 8.8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886T1H101JD01D

GRM1886T1H101JD01D

ნაწილი საფონდო: 4303

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556T1H150GD01D

GRM1556T1H150GD01D

ნაწილი საფონდო: 149

ტევადობა: 15pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E680JD01J

GRM0335C1E680JD01J

ნაწილი საფონდო: 4487

ტევადობა: 68pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E4R4BD01D

GRM0335C1E4R4BD01D

ნაწილი საფონდო: 1918

ტევადობა: 4.4pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM0335C1E1R9CD03D

GCM0335C1E1R9CD03D

ნაწილი საფონდო: 5547

ტევადობა: 1.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H150JA01E

GRM0335C1H150JA01E

ნაწილი საფონდო: 7803

ტევადობა: 15pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1H8R3DD01D

GRM0337U1H8R3DD01D

ნაწილი საფონდო: 6548

ტევადობა: 8.3pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1H9R5CD01D

GRM0337U1H9R5CD01D

ნაწილი საფონდო: 6666

ტევადობა: 9.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C2A1R3CA01D

GRM1885C2A1R3CA01D

ნაწილი საფონდო: 105204

ტევადობა: 1.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM21BR71H104KA01K

GRM21BR71H104KA01K

ნაწილი საფონდო: 143269

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM0335C1E120JD03D

GCM0335C1E120JD03D

ნაწილი საფონდო: 2024

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E5R4DD01D

GRM0335C1E5R4DD01D

ნაწილი საფონდო: 7528

ტევადობა: 5.4pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E5R1CD01D

GRM0335C1E5R1CD01D

ნაწილი საფონდო: 2109

ტევადობა: 5.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E4R8BD01D

GRM0335C1E4R8BD01D

ნაწილი საფონდო: 4129

ტევადობა: 4.8pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C2A1R4CA01D

GRM1885C2A1R4CA01D

ნაწილი საფონდო: 140383

ტევადობა: 1.4pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H9R7CZ01D

GRM1556S1H9R7CZ01D

ნაწილი საფონდო: 2869

ტევადობა: 9.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1HR70CD01D

GRM1556S1HR70CD01D

ნაწილი საფონდო: 5692

ტევადობა: 0.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DESD32H471KA2B

DESD32H471KA2B

ნაწილი საფონდო: 580

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: D, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM1556T1H1R0CD01D

GRM1556T1H1R0CD01D

ნაწილი საფონდო: 7242

ტევადობა: 1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DHS4E4G202KT2B

DHS4E4G202KT2B

ნაწილი საფონდო: 867

ტევადობა: 2000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 40000V (40kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: N4700, ოპერაციული ტემპერატურა: 20°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM0337U1H8R9DD01D

GRM0337U1H8R9DD01D

ნაწილი საფონდო: 9291

ტევადობა: 8.9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C2A9R7DZ01D

GRM2195C2A9R7DZ01D

ნაწილი საფონდო: 1870

ტევადობა: 9.7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DHS4E4F941KL2B

DHS4E4F941KL2B

ნაწილი საფონდო: 1923

ტევადობა: 940pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 30000V (30kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: N4700, ოპერაციული ტემპერატურა: 20°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM0335C1E6R2CD01D

GRM0335C1E6R2CD01D

ნაწილი საფონდო: 9916

ტევადობა: 6.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C2A9R0DZ01D

GRM2195C2A9R0DZ01D

ნაწილი საფონდო: 2216

ტევადობა: 9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E5R5CD01D

GRM0335C1E5R5CD01D

ნაწილი საფონდო: 6075

ტევადობა: 5.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GA342D1XGD100JY02L

GA342D1XGD100JY02L

ნაწილი საფონდო: 7400

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C2AR60CD01D

GRM2195C2AR60CD01D

ნაწილი საფონდო: 1795

ტევადობა: 0.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556T1H110JD01D

GRM1556T1H110JD01D

ნაწილი საფონდო: 2254

ტევადობა: 11pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი