კერამიკული კონდენსატორები

GRM0337U1H7R7CD01D

GRM0337U1H7R7CD01D

ნაწილი საფონდო: 111

ტევადობა: 7.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEHR32E471KB2B

DEHR32E471KB2B

ნაწილი საფონდო: 4606

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM188R70J104KA01D

GRM188R70J104KA01D

ნაწილი საფონდო: 162319

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H221FA01D

GRM1885C1H221FA01D

ნაწილი საფონდო: 120359

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±1%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H8R0DZ01D

GRM1886S1H8R0DZ01D

ნაწილი საფონდო: 6302

ტევადობა: 8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2166T1H5R0CD01D

GRM2166T1H5R0CD01D

ნაწილი საფონდო: 9779

ტევადობა: 5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H331FA01D

GRM1885C1H331FA01D

ნაწილი საფონდო: 9619

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±1%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DHS4E4C112MHXB

DHS4E4C112MHXB

ნაწილი საფონდო: 3198

ტევადობა: 1100pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 15000V (15kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: N4700, ოპერაციული ტემპერატურა: 20°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM1556S1H4R4CZ01D

GRM1556S1H4R4CZ01D

ნაწილი საფონდო: 1318

ტევადობა: 4.4pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2166T1H9R0DD01D

GRM2166T1H9R0DD01D

ნაწილი საფონდო: 8854

ტევადობა: 9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H1R2CZ01D

GRM1886S1H1R2CZ01D

ნაწილი საფონდო: 8614

ტევადობა: 1.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1H1R0CD01D

GRM0337U1H1R0CD01D

ნაწილი საფონდო: 4401

ტევადობა: 1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H9R2CZ01D

GRM1556S1H9R2CZ01D

ნაწილი საფონდო: 9387

ტევადობა: 9.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEHR32E331KA2B

DEHR32E331KA2B

ნაწილი საფონდო: 1196

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM1886S1H7R2DZ01D

GRM1886S1H7R2DZ01D

ნაწილი საფონდო: 7421

ტევადობა: 7.2pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C2A2R6CD01D

GRM2195C2A2R6CD01D

ნაწილი საფონდო: 4626

ტევადობა: 2.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1H7R6DD01D

GRM0337U1H7R6DD01D

ნაწილი საფონდო: 6300

ტევადობა: 7.6pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C2A3R7CD01D

GRM2195C2A3R7CD01D

ნაწილი საფონდო: 6821

ტევადობა: 3.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RPE5C2A6R2C2P1B03B

RPE5C2A6R2C2P1B03B

ნაწილი საფონდო: 856

ტევადობა: 6.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E3R8CD01D

GRM0335C1E3R8CD01D

ნაწილი საფონდო: 3453

ტევადობა: 3.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM219R61C475KE15J

GRM219R61C475KE15J

ნაწილი საფონდო: 149458

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM2166T1H6R0DD01D

GRM2166T1H6R0DD01D

ნაწილი საფონდო: 2675

ტევადობა: 6pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C2A8R2CZ01D

GRM2195C2A8R2CZ01D

ნაწილი საფონდო: 8556

ტევადობა: 8.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R71C104KA01J

GRM188R71C104KA01J

ნაწილი საფონდო: 199701

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H8R6CZ01D

GRM1556S1H8R6CZ01D

ნაწილი საფონდო: 9508

ტევადობა: 8.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H7R3DZ01D

GRM1886S1H7R3DZ01D

ნაწილი საფონდო: 6143

ტევადობა: 7.3pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEBB33D472KN7A

DEBB33D472KN7A

ნაწილი საფონდო: 93938

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM216R71H302JA01D

GRM216R71H302JA01D

ნაწილი საფონდო: 132994

ტევადობა: 3000pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C2A200JZ01J

GRM2195C2A200JZ01J

ნაწილი საფონდო: 6867

ტევადობა: 20pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886T1H9R9DD01D

GRM1886T1H9R9DD01D

ნაწილი საფონდო: 4574

ტევადობა: 9.9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E3R8BD01D

GRM0335C1E3R8BD01D

ნაწილი საფონდო: 3703

ტევადობა: 3.8pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1557U1A162JA01D

GRM1557U1A162JA01D

ნაწილი საფონდო: 112060

ტევადობა: 1600pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM219R61E475KA73J

GRM219R61E475KA73J

ნაწილი საფონდო: 101364

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM219R61H105KA73J

GRM219R61H105KA73J

ნაწილი საფონდო: 113277

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
DHS4E4C112KH2B

DHS4E4C112KH2B

ნაწილი საფონდო: 2765

ტევადობა: 1100pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 15000V (15kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: N4700, ოპერაციული ტემპერატურა: 20°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM2165C1H331FA01D

GRM2165C1H331FA01D

ნაწილი საფონდო: 6676

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±1%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი