კერამიკული კონდენსატორები

GRM0337U1E620JD01D

GRM0337U1E620JD01D

ნაწილი საფონდო: 9870

ტევადობა: 62pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM219R61E106MA12J

GRM219R61E106MA12J

ნაწილი საფონდო: 155252

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM1556S1H4R2CZ01D

GRM1556S1H4R2CZ01D

ნაწილი საფონდო: 7933

ტევადობა: 4.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H9R3DZ01D

GRM1556S1H9R3DZ01D

ნაწილი საფონდო: 3650

ტევადობა: 9.3pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E3R2BD01D

GRM0335C1E3R2BD01D

ნაწილი საფონდო: 6123

ტევადობა: 3.2pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C2A3R1CD01D

GRM2195C2A3R1CD01D

ნაწილი საფონდო: 3444

ტევადობა: 3.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM216R71H221KA01D

GRM216R71H221KA01D

ნაწილი საფონდო: 115134

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1E820JD01D

GRM0337U1E820JD01D

ნაწილი საფონდო: 3138

ტევადობა: 82pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRT32DR61E106ME01L

GRT32DR61E106ME01L

ნაწილი საფონდო: 158272

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
DEHR32E331KB2B

DEHR32E331KB2B

ნაწილი საფონდო: 3042

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM1887U1H242JA01D

GRM1887U1H242JA01D

ნაწილი საფონდო: 136381

ტევადობა: 2400pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2166T1H561JD15D

GRM2166T1H561JD15D

ნაწილი საფონდო: 859

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E3R7BD01D

GRM0335C1E3R7BD01D

ნაწილი საფონდო: 1998

ტევადობა: 3.7pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DHS4E4A561KC2B

DHS4E4A561KC2B

ნაწილი საფონდო: 3347

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10000V (10kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: N4700, ოპერაციული ტემპერატურა: 20°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM2195C2A4R3CD01D

GRM2195C2A4R3CD01D

ნაწილი საფონდო: 1681

ტევადობა: 4.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1H6R5DD01D

GRM0337U1H6R5DD01D

ნაწილი საფონდო: 1509

ტევადობა: 6.5pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E3R1CD01D

GRM0335C1E3R1CD01D

ნაწილი საფონდო: 9466

ტევადობა: 3.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2166T1H4R0CD01D

GRM2166T1H4R0CD01D

ნაწილი საფონდო: 6584

ტევადობა: 4pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DHS4E4A282KL2B

DHS4E4A282KL2B

ნაწილი საფონდო: 2239

ტევადობა: 2800pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10000V (10kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: N4700, ოპერაციული ტემპერატურა: 20°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM0337U1H7R6CD01D

GRM0337U1H7R6CD01D

ნაწილი საფონდო: 5706

ტევადობა: 7.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DHR4E4B681K2BB

DHR4E4B681K2BB

ნაწილი საფონდო: 72213

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 12000V (12kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: ZM, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 100°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM0337U1H130JD01D

GRM0337U1H130JD01D

ნაწილი საფონდო: 2365

ტევადობა: 13pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H7R4DA01D

GRM1885C1H7R4DA01D

ნაწილი საფონდო: 140713

ტევადობა: 7.4pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H9R2DZ01D

GRM1556S1H9R2DZ01D

ნაწილი საფონდო: 7679

ტევადობა: 9.2pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DHS4E4A561MCXB

DHS4E4A561MCXB

ნაწილი საფონდო: 3870

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10000V (10kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: N4700, ოპერაციული ტემპერატურა: 20°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM1556S1H9R0CZ01D

GRM1556S1H9R0CZ01D

ნაწილი საფონდო: 6445

ტევადობა: 9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DHR4E4B331K2BB

DHR4E4B331K2BB

ნაწილი საფონდო: 103168

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 12000V (12kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: ZM, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 100°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM31CD71A226ME15K

GRM31CD71A226ME15K

ნაწილი საფონდო: 3567

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7T, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM31CR72A225MA73L

GRM31CR72A225MA73L

ნაწილი საფონდო: 161191

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM033R60G225ME44D

GRM033R60G225ME44D

ნაწილი საფონდო: 9061

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM2195C2A4R5CD01D

GRM2195C2A4R5CD01D

ნაწილი საფონდო: 437

ტევადობა: 4.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H6R8DA01J

GRM1885C1H6R8DA01J

ნაწილი საფონდო: 160085

ტევადობა: 6.8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H1R1CZ01D

GRM1887U1H1R1CZ01D

ნაწილი საფონდო: 8433

ტევადობა: 1.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H9R1DZ01D

GRM1556S1H9R1DZ01D

ნაწილი საფონდო: 5320

ტევადობა: 9.1pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H7R0CA01E

GRM0335C1H7R0CA01E

ნაწილი საფონდო: 1008

ტევადობა: 7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H6R0CA01J

GRM1885C1H6R0CA01J

ნაწილი საფონდო: 162334

ტევადობა: 6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი