მეხსიერება

MT35XL512ABA1G12-0AAT

MT35XL512ABA1G12-0AAT

ნაწილი საფონდო: 1285

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
MT53D4DASB-DC TR

MT53D4DASB-DC TR

ნაწილი საფონდო: 9317

სასურველი
MT53B1G64D8NW-062 WT:D TR

MT53B1G64D8NW-062 WT:D TR

ნაწილი საფონდო: 2697

სასურველი
EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

ნაწილი საფონდო: 875

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 4Gb (64M x 64), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT53D1024M64D8NW-046 WT ES:D

MT53D1024M64D8NW-046 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 1987

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 64Gb (1G x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT35XL256ABA1GSF-0AAT

MT35XL256ABA1GSF-0AAT

ნაწილი საფონდო: 1281

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
MT49H32M9SJ-25:B TR

MT49H32M9SJ-25:B TR

ნაწილი საფონდო: 3260

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 288Mb (32M x 9), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MTFC16GANALEA-WT TR

MTFC16GANALEA-WT TR

ნაწილი საფონდო: 214

სასურველი
MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E

MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E

ნაწილი საფონდო: 6680

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT35XL256ABA2GSF-0AAT TR

MT35XL256ABA2GSF-0AAT TR

ნაწილი საფონდო: 2651

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
MT53D4DCTW-DC TR

MT53D4DCTW-DC TR

ნაწილი საფონდო: 9396

სასურველი
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E

ნაწილი საფონდო: 6613

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT53D512M64D4BP-046 WT:E TR

MT53D512M64D4BP-046 WT:E TR

ნაწილი საფონდო: 9491

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MTFC16GAPALBH-AAT ES

MTFC16GAPALBH-AAT ES

ნაწილი საფონდო: 7472

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი
MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D TR

MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 2659

სასურველი
ECF440AACCN-P4-Y3

ECF440AACCN-P4-Y3

ნაწილი საფონდო: 668

სასურველი
MT53D8DARG-DC

MT53D8DARG-DC

ნაწილი საფონდო: 7119

სასურველი
MT29F32G08ABCABH1-10Z:A

MT29F32G08ABCABH1-10Z:A

ნაწილი საფონდო: 2768

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 32Gb (4G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MTFC64GANALAM-WT ES TR

MTFC64GANALAM-WT ES TR

ნაწილი საფონდო: 509

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8),

სასურველი
MT53D4D1ABP-DC

MT53D4D1ABP-DC

ნაწილი საფონდო: 8413

სასურველი
MT53D4DBKA-DC TR

MT53D4DBKA-DC TR

ნაწილი საფონდო: 9366

სასურველი
MT29VZZZ7C7DQFSL-046 W.9J7

MT29VZZZ7C7DQFSL-046 W.9J7

ნაწილი საფონდო: 5499

სასურველი
MTFC8GAMALNA-AIT ES TR

MTFC8GAMALNA-AIT ES TR

ნაწილი საფონდო: 633

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8),

სასურველი
MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C

MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C

ნაწილი საფონდო: 1569

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MTFC128GAPALNA-AAT ES TR

MTFC128GAPALNA-AAT ES TR

ნაწილი საფონდო: 51

სასურველი
MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E

MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E

ნაწილი საფონდო: 6579

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT53D2048M32D8QD-053 WT ES:D TR

MT53D2048M32D8QD-053 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 3280

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 64Gb (2G x 32), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT29F2G16ABAFAWP:F TR

MT29F2G16ABAFAWP:F TR

ნაწილი საფონდო: 778

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (128M x 16),

სასურველი
ECF00453ZCN-Y3

ECF00453ZCN-Y3

ნაწილი საფონდო: 4104

სასურველი
MTFC8GAMALBH-AAT ES

MTFC8GAMALBH-AAT ES

ნაწილი საფონდო: 7776

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8),

სასურველი
MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-M

MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-M

ნაწილი საფონდო: 7997

სასურველი
MT53B2DARN-DC

MT53B2DARN-DC

ნაწილი საფონდო: 5747

სასურველი
MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E

MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E

ნაწილი საფონდო: 3699

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 64Gb (1G x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT53B1G32D4NQ-062 WT ES:D TR

MT53B1G32D4NQ-062 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 3113

სასურველი
MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E TR

MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E TR

ნაწილი საფონდო: 9455

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT35XL512ABA1G12-0AAT TR

MT35XL512ABA1G12-0AAT TR

ნაწილი საფონდო: 3515

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი