მეხსიერება

MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES :D

ნაწილი საფონდო: 1909

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (1G x 32), საათის სიხშირე: 2133MHz,

MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 3214

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (1G x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B

ნაწილი საფონდო: 6085

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

MTFC128GAPALNS-AIT

ნაწილი საფონდო: 3269

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8),

MT53D4DDSB-DC

ნაწილი საფონდო: 6460

MT25QL128ABB1EW7-CAUT TR

ნაწილი საფონდო: 8472

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

MTFC16GAKAEEF-O1 AIT

ნაწილი საფონდო: 66

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

MTFC32GAPALNA-AAT ES TR

ნაწილი საფონდო: 416

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8),

MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A TR

ნაწილი საფონდო: 9574

MT35XL256ABA2G12-0AAT TR

ნაწილი საფონდო: 3109

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

MT53E2G32D8QD-046 WT:E TR

ნაწილი საფონდო: 9944

MT53B8DANK-DC TR

ნაწილი საფონდო: 9093

MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 1498

MT53D1024M64D8NW-053 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 9141

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 64Gb (1G x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

ECF440AACCN-V6-Y3

ნაწილი საფონდო: 7855

MT29C4G48MAYBBAMR-48 IT

ნაწილი საფონდო: 1167

MT53B2G32D8QD-062 WT:D TR

ნაწილი საფონდო: 3199

MT44K32M36RCT-125 IT:A TR

ნაწილი საფონდო: 3802

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 1.125Gb (32Mb x 36), საათის სიხშირე: 800MHz,

MT52L4DAGN-DC

ნაწილი საფონდო: 5750

MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A

ნაწილი საფონდო: 1388

MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-M

ნაწილი საფონდო: 3465

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B TR

ნაწილი საფონდო: 9229

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

PN28F256M29EWHD TR

ნაწილი საფონდო: 774

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

MT61M256M32JE-10 AAT:A

ნაწილი საფონდო: 7297

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: RAM, ტექნოლოგია: SGRAM - GDDR6, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1.25GHz,

MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J TR

ნაწილი საფონდო: 3038

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, RAM, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4), საათის სიხშირე: 1866MHz,

MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E

ნაწილი საფონდო: 6944

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 48Gb (768M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

MT35XU01GBBA1G12-0AAT

ნაწილი საფონდო: 1266

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz,

MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 1837

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

MT25QL01GBBB8E12-0SIT

ნაწილი საფონდო: 1218

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

MT35XL512ABA1G12-0AUT

ნაწილი საფონდო: 5610

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

MT53B2G32D8QD-062 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 3117

MT52L1G64D8QC-107 WT ES:B

ნაწილი საფონდო: 1352

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 64Gb (1G x 64), საათის სიხშირე: 933MHz,

MT53D2G32D8QD-053 WT ES:E

ნაწილი საფონდო: 6171

MT53D512M64D4NW-046 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 2315

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR

ნაწილი საფონდო: 675

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR

ნაწილი საფონდო: 8544

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 267MHz,