მეხსიერება

MT53B4DATT-DC TR

MT53B4DATT-DC TR

ნაწილი საფონდო: 9046

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
MT53D1G32D4BD-053 WT:D

MT53D1G32D4BD-053 WT:D

ნაწილი საფონდო: 2077

სასურველი
MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E

MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E

ნაწილი საფონდო: 3696

სასურველი
MTFC128GAPALNS-AAT ES

MTFC128GAPALNS-AAT ES

ნაწილი საფონდო: 7461

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8),

სასურველი
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

ნაწილი საფონდო: 8286

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT53D4DBNZ-DC

MT53D4DBNZ-DC

ნაწილი საფონდო: 6496

სასურველი
MTFC64GAPALNA-AIT ES TR

MTFC64GAPALNA-AIT ES TR

ნაწილი საფონდო: 560

სასურველი
MTFC32GAPALNA-AAT ES

MTFC32GAPALNA-AAT ES

ნაწილი საფონდო: 7678

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8),

სასურველი
MT61M256M32JE-10 N:A TR

MT61M256M32JE-10 N:A TR

ნაწილი საფონდო: 9965

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: RAM, ტექნოლოგია: SGRAM - GDDR6, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1.25GHz,

სასურველი
MT28EW512ABA1LPC-1SIT TR

MT28EW512ABA1LPC-1SIT TR

ნაწილი საფონდო: 4877

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
MT53D8DBWF-DC TR

MT53D8DBWF-DC TR

ნაწილი საფონდო: 2898

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
MT29RZ4C4DZZMGMF-18 W.80U TR

MT29RZ4C4DZZMGMF-18 W.80U TR

ნაწილი საფონდო: 761

სასურველი
MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D

MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 2011

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (1G x 32), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR

MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR

ნაწილი საფონდო: 8580

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT53D512M64D4HR-053 WT ES:D

MT53D512M64D4HR-053 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 6581

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MTFC8GAMALNA-AIT ES

MTFC8GAMALNA-AIT ES

ნაწილი საფონდო: 7856

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8),

სასურველი
MT47H256M8EB-25E IT:C

MT47H256M8EB-25E IT:C

ნაწილი საფონდო: 2726

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT53D1G64D8NW-053 WT ES:E

MT53D1G64D8NW-053 WT ES:E

ნაწილი საფონდო: 6040

სასურველი
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E

MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E

ნაწილი საფონდო: 6739

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
EDF8164A3MD-GD-F-R

EDF8164A3MD-GD-F-R

ნაწილი საფონდო: 7905

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (128M x 64), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D TR

MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 9628

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B TR

MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 8959

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E TR

MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E TR

ნაწილი საფონდო: 8629

სასურველი
MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E

MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E

ნაწილი საფონდო: 6948

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 48Gb (768M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR

MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR

ნაწილი საფონდო: 9545

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT28EW256ABA1LPN-0SIT

MT28EW256ABA1LPN-0SIT

ნაწილი საფონდო: 1054

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
MT35XU512ABA1G12-0AUT TR

MT35XU512ABA1G12-0AUT TR

ნაწილი საფონდო: 8846

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz,

სასურველი
MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D

MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 2242

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT52L1DAPF-DC TR

MT52L1DAPF-DC TR

ნაწილი საფონდო: 8977

სასურველი
MT29F256G08AUEDBJ6-12:D TR

MT29F256G08AUEDBJ6-12:D TR

ნაწილი საფონდო: 985

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
MT53E1G32D4NQ-046 WT:E

MT53E1G32D4NQ-046 WT:E

ნაწილი საფონდო: 7217

სასურველი
MTFC32GAPALBH-AIT ES TR

MTFC32GAPALBH-AIT ES TR

ნაწილი საფონდო: 327

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8),

სასურველი
MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D

MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 1789

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F TR

MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F TR

ნაწილი საფონდო: 2630

სასურველი
MT29F1G01ABBFDM78A3WC1

MT29F1G01ABBFDM78A3WC1

ნაწილი საფონდო: 4280

სასურველი
MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR

MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 9191

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი