მეხსიერება

MT53D4DBBD-DC

ნაწილი საფონდო: 6442

MTFC32GANALEA-WT TR

ნაწილი საფონდო: 9413

MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C TR

ნაწილი საფონდო: 933

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

ECF620AAACN-C1-Y3-ES

ნაწილი საფონდო: 7877

MT35XL512ABA2G12-0AUT TR

ნაწილი საფონდო: 3951

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

MTFC16GAPALBH-AIT TR

ნაწილი საფონდო: 2924

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

MT25TL01GBBB8ESF-0AAT

ნაწილი საფონდო: 1357

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

MT53D768M64D4NZ-046 WT:A

ნაწილი საფონდო: 6816

MT44K32M36RCT-125E:A TR

ნაწილი საფონდო: 3889

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 1.125Gb (32Mb x 36), საათის სიხშირე: 800MHz,

MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F

ნაწილი საფონდო: 1179

MT28EW256ABA1LPN-0SIT TR

ნაწილი საფონდო: 772

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

N25Q256A73ESF40G TR

ნაწილი საფონდო: 770

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (64M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

MT28EW256ABA1LPC-1SIT TR

ნაწილი საფონდო: 4823

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

MTFC128GAOANAM-WT ES

ნაწილი საფონდო: 7336

MT28EW512ABA1LPN-0SIT

ნაწილი საფონდო: 1020

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 6661

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

MTFC128GAOANEA-WT ES

ნაწილი საფონდო: 9388

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8),

MT53B2DARN-DC TR

ნაწილი საფონდო: 3943

MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A

ნაწილი საფონდო: 1684

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

MT53D2G32D8QD-046 WT ES:E TR

ნაწილი საფონდო: 9216

MT29F128G08EBCDBB05A3WC1ES

ნაწილი საფონდო: 7946

EDB8132B4PM-1DAT-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 3723

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 533MHz,

MTFC256GBAOANAM-WT ES

ნაწილი საფონდო: 7532

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Tb (256G x 8),

MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C

ნაწილი საფონდო: 1832

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D

ნაწილი საფონდო: 2285

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 2133MHz,

MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G TR

ნაწილი საფონდო: 8838

MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E

ნაწილი საფონდო: 6506

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 2133MHz,

MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 9622

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

MT53D2G32D8QD-062 WT:D

ნაწილი საფონდო: 2136

MT53D768M64D4SQ-053 WT:A TR

ნაწილი საფონდო: 4060

MTFC64GAPALNA-AIT TR

ნაწილი საფონდო: 572

MT29E64G08CBCDBJ4-6:D

ნაწილი საფონდო: 4269

MT35XU256ABA1G12-0AAT TR

ნაწილი საფონდო: 3592

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz,

MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E

ნაწილი საფონდო: 5182

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 267MHz,

MTFC64GAPALNA-AAT TR

ნაწილი საფონდო: 525

MT53E1G64D8NW-046 WT:E

ნაწილი საფონდო: 3753