მეხსიერება

MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C

MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C

ნაწილი საფონდო: 8288

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR

MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR

ნაწილი საფონდო: 4821

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8, 8M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
MT53B4DATT-DC

MT53B4DATT-DC

ნაწილი საფონდო: 5834

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
MTFC16GAPALNA-AIT TR

MTFC16GAPALNA-AIT TR

ნაწილი საფონდო: 177

სასურველი
MT53D8DARG-DC TR

MT53D8DARG-DC TR

ნაწილი საფონდო: 9819

სასურველი
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8 TR

MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8 TR

ნაწილი საფონდო: 8785

სასურველი
MT35XL01GBBA1G12-0AAT

MT35XL01GBBA1G12-0AAT

ნაწილი საფონდო: 1225

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
MT53D2048M32D8QD-046 WT ES:D

MT53D2048M32D8QD-046 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 2051

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 64Gb (2G x 32), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT35XU512ABA2G12-0AUT TR

MT35XU512ABA2G12-0AUT TR

ნაწილი საფონდო: 8879

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz,

სასურველი
MT46H64M32LFT89MWC2-N1004

MT46H64M32LFT89MWC2-N1004

ნაწილი საფონდო: 8122

სასურველი
MT52L256M32D1PU-107 WT:B

MT52L256M32D1PU-107 WT:B

ნაწილი საფონდო: 5723

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT53D512M64D4CR-053 WT ES:D

MT53D512M64D4CR-053 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 2356

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
N25Q512A83G12A0F

N25Q512A83G12A0F

ნაწილი საფონდო: 2558

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (128M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E

MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E

ნაწილი საფონდო: 1297

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8),

სასურველი
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C

MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C

ნაწილი საფონდო: 1451

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (1G x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A TR

MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A TR

ნაწილი საფონდო: 2716

სასურველი
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W ES.G8D TR

MT29VZZZBD8HQOWL-053 W ES.G8D TR

ნაწილი საფონდო: 8883

სასურველი
EDF8164A3MC-GD-F-R

EDF8164A3MC-GD-F-R

ნაწილი საფონდო: 7954

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (128M x 64), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MTFC64GAPALBH-AAT ES

MTFC64GAPALBH-AAT ES

ნაწილი საფონდო: 3804

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8),

სასურველი
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D

ნაწილი საფონდო: 3700

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT25QL128ABB1EW7-CSIT TR

MT25QL128ABB1EW7-CSIT TR

ნაწილი საფონდო: 8496

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT29VZZZAD8HQKPR-053 W ES.G8C TR

MT29VZZZAD8HQKPR-053 W ES.G8C TR

ნაწილი საფონდო: 8779

სასურველი
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A

MT29F512G08EECAGJ4-5M:A

ნაწილი საფონდო: 96

სასურველი
MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D TR

MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 3989

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 48Gb (768M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MTFC64GAPALBH-AIT ES

MTFC64GAPALBH-AIT ES

ნაწილი საფონდო: 7736

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8),

სასურველი
MT53D512M32D2DS-046 WT ES:D

MT53D512M32D2DS-046 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 2271

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B

MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B

ნაწილი საფონდო: 3717

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT53D1536M32D6BE-053 WT ES:D

MT53D1536M32D6BE-053 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 5982

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 48Gb (1.5G x 32), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT53D4DBFL-DC

MT53D4DBFL-DC

ნაწილი საფონდო: 8339

სასურველი
MT29F4G08ABAFAM70A3WC1

MT29F4G08ABAFAM70A3WC1

ნაწილი საფონდო: 8023

სასურველი
MT53B4DAPV-DC

MT53B4DAPV-DC

ნაწილი საფონდო: 1736

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR

MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR

ნაწილი საფონდო: 9527

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT53D4DACR-DC TR

MT53D4DACR-DC TR

ნაწილი საფონდო: 3348

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
MT25QL256ABA8E14-1SIT

MT25QL256ABA8E14-1SIT

ნაწილი საფონდო: 910

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT53D768M32D4CB-053 WT ES:C

MT53D768M32D4CB-053 WT ES:C

ნაწილი საფონდო: 2432

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (768M x 32), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR

MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 3455

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი