მეხსიერება

MT29F8G08ADAFAWP-AITES:F TR

MT29F8G08ADAFAWP-AITES:F TR

ნაწილი საფონდო: 8600

სასურველი
MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR

MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 3397

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT53B512M16D1Z11NWC1

MT53B512M16D1Z11NWC1

ნაწილი საფონდო: 8266

სასურველი
MTFC64GANALAM-WT ES

MTFC64GANALAM-WT ES

ნაწილი საფონდო: 7664

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8),

სასურველი
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8 TR

MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8 TR

ნაწილი საფონდო: 8746

სასურველი
MT53D1024M32D4DT-046 AAT:E

MT53D1024M32D4DT-046 AAT:E

ნაწილი საფონდო: 8330

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (1G x 32), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT28EW256ABA1HPC-1SIT TR

MT28EW256ABA1HPC-1SIT TR

ნაწილი საფონდო: 4829

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
ECF840AAACN-C1-Y3

ECF840AAACN-C1-Y3

ნაწილი საფონდო: 608

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (512M x 16),

სასურველი
MT41K512M8V00HWC1-N001

MT41K512M8V00HWC1-N001

ნაწილი საფონდო: 8138

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8),

სასურველი
MT53B192M32D1Z0AMWC1

MT53B192M32D1Z0AMWC1

ნაწილი საფონდო: 8225

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 6Gb (192M x 32),

სასურველი
MT53D4DCNZ-DC

MT53D4DCNZ-DC

ნაწილი საფონდო: 6461

სასურველი
MT35XU512ABA2G12-0AAT

MT35XU512ABA2G12-0AAT

ნაწილი საფონდო: 1389

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz,

სასურველი
MT25QL128ABB8ESF-0AUT TR

MT25QL128ABB8ESF-0AUT TR

ნაწილი საფონდო: 8510

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR

MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR

ნაწილი საფონდო: 8703

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT53D512M32D2NP-046 WT ES:D TR

MT53D512M32D2NP-046 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 9424

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT53E512M32D2NP-046

MT53E512M32D2NP-046

ნაწილი საფონდო: 7225

სასურველი
MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:D TR

MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 2667

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 267MHz,

სასურველი
MT53D8DBNW-DC

MT53D8DBNW-DC

ნაწილი საფონდო: 8443

სასურველი
MT25QU128ABB1EW7-CSIT

MT25QU128ABB1EW7-CSIT

ნაწილი საფონდო: 5228

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MTFC128GAOAMEA-WT ES TR

MTFC128GAOAMEA-WT ES TR

ნაწილი საფონდო: 10059

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8),

სასურველი
MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W ES.9B7

MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W ES.9B7

ნაწილი საფონდო: 1197

სასურველი
MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D TR

MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 9046

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 48Gb (768M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D TR

MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 2727

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT53D8D1AJS-DC TR

MT53D8D1AJS-DC TR

ნაწილი საფონდო: 9808

სასურველი
MTFC64GAJAECE-5M AIT

MTFC64GAJAECE-5M AIT

ნაწილი საფონდო: 2517

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8),

სასურველი
ECF620AAACN-C2-Y3

ECF620AAACN-C2-Y3

ნაწილი საფონდო: 7858

სასურველი
MT25QU128ABB1EW7-CAUT TR

MT25QU128ABB1EW7-CAUT TR

ნაწილი საფონდო: 8499

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MTFC8GAMALBH-AIT ES

MTFC8GAMALBH-AIT ES

ნაწილი საფონდო: 7724

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8),

სასურველი
MT53D4DACR-DC

MT53D4DACR-DC

ნაწილი საფონდო: 2192

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
MT52L4DBPG-DC TR

MT52L4DBPG-DC TR

ნაწილი საფონდო: 2650

სასურველი
MTFC16GAPALBH-AIT

MTFC16GAPALBH-AIT

ნაწილი საფონდო: 2442

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი
MT53E512M64D4NW-046 WT:E

MT53E512M64D4NW-046 WT:E

ნაწილი საფონდო: 7222

სასურველი
MT53D384M64D4SB-046 XT ES:E

MT53D384M64D4SB-046 XT ES:E

ნაწილი საფონდო: 3647

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR

MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR

ნაწილი საფონდო: 9160

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 64Gb (1G x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT40A256M16Z90BWC1

MT40A256M16Z90BWC1

ნაწილი საფონდო: 8046

სასურველი
MT53D768M64D8RG-053 WT ES:D TR

MT53D768M64D8RG-053 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 9697

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 48Gb (768M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი