მეხსიერება

MT35XL256ABA2G12-0AAT

MT35XL256ABA2G12-0AAT

ნაწილი საფონდო: 1274

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
MT35XU512ABA2G12-0AUT

MT35XU512ABA2G12-0AUT

ნაწილი საფონდო: 5608

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz,

სასურველი
MT53B256M32D1TG-062 XT ES:C

MT53B256M32D1TG-062 XT ES:C

ნაწილი საფონდო: 1529

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT61M256M32JE-12 N:A TR

MT61M256M32JE-12 N:A TR

ნაწილი საფონდო: 10020

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: RAM, ტექნოლოგია: SGRAM - GDDR6, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1.5GHz,

სასურველი
MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR

MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR

ნაწილი საფონდო: 8582

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8),

სასურველი
MTFC64GAOAMEA-WT ES TR

MTFC64GAOAMEA-WT ES TR

ნაწილი საფონდო: 423

სასურველი
MT53D8D1BSQ-DC TR

MT53D8D1BSQ-DC TR

ნაწილი საფონდო: 9839

სასურველი
MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F

MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F

ნაწილი საფონდო: 3594

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8),

სასურველი
MT53B4DCNQ-DC

MT53B4DCNQ-DC

ნაწილი საფონდო: 1761

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
MT53B512M16D1Z11MWC2 MS

MT53B512M16D1Z11MWC2 MS

ნაწილი საფონდო: 8263

სასურველი
MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR

MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 2752

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 64Gb (1G x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR

MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR

ნაწილი საფონდო: 57

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MTFC128GAPALNS-AIT TR

MTFC128GAPALNS-AIT TR

ნაწილი საფონდო: 2909

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8),

სასურველი
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C

MT53B256M32D1DS-062 AUT:C

ნაწილი საფონდო: 42

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT53D8DAWF-DC TR

MT53D8DAWF-DC TR

ნაწილი საფონდო: 9895

სასურველი
EDF8164A3MD-GD-F-R TR

EDF8164A3MD-GD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 8474

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (128M x 64), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MTFC32GANALEA-WT

MTFC32GANALEA-WT

ნაწილი საფონდო: 7486

სასურველი
MT29F2G16ABAFAWP:F

MT29F2G16ABAFAWP:F

ნაწილი საფონდო: 1365

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (128M x 16),

სასურველი
MT53D768M64D4SB-046 XT ES:A TR

MT53D768M64D4SB-046 XT ES:A TR

ნაწილი საფონდო: 9591

სასურველი
MT53D768M64D8JS-053 WT ES:D TR

MT53D768M64D8JS-053 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 4028

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 48Gb (768M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT53B2DANW-DC TR

MT53B2DANW-DC TR

ნაწილი საფონდო: 2757

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
MT53D4DGSB-DC TR

MT53D4DGSB-DC TR

ნაწილი საფონდო: 3948

სასურველი
MT29VZZZ7D7DQKWL-053 W.97Y TR

MT29VZZZ7D7DQKWL-053 W.97Y TR

ნაწილი საფონდო: 8730

სასურველი
MT53D8DAWF-DC

MT53D8DAWF-DC

ნაწილი საფონდო: 7118

სასურველი
MT35XU02GCBA1G12-0AUT

MT35XU02GCBA1G12-0AUT

ნაწილი საფონდო: 5575

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz,

სასურველი
MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B

MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B

ნაწილი საფონდო: 5923

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES:D

MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 2008

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (1G x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT53D384M64D4SB-046 XT ES:D

MT53D384M64D4SB-046 XT ES:D

ნაწილი საფონდო: 6180

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MTFC64GAPAKEA-WT ES

MTFC64GAPAKEA-WT ES

ნაწილი საფონდო: 3303

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8),

სასურველი
MT52L4DAGN-DC TR

MT52L4DAGN-DC TR

ნაწილი საფონდო: 8964

სასურველი
MT53D2G32D8QD-053 WT ES:E TR

MT53D2G32D8QD-053 WT ES:E TR

ნაწილი საფონდო: 9208

სასურველი
MT53B256M16D1Z00MWC1

MT53B256M16D1Z00MWC1

ნაწილი საფონდო: 8233

სასურველი
MT61M256M32JE-10 AAT:A TR

MT61M256M32JE-10 AAT:A TR

ნაწილი საფონდო: 9947

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: RAM, ტექნოლოგია: SGRAM - GDDR6, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1.25GHz,

სასურველი
MT52L256M32D1PU-107 WT:B TR

MT52L256M32D1PU-107 WT:B TR

ნაწილი საფონდო: 8943

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT53D768M64D4NZ-046 WT:A TR

MT53D768M64D4NZ-046 WT:A TR

ნაწილი საფონდო: 3985

სასურველი
MT25QU128ABB1EW7-CAUT

MT25QU128ABB1EW7-CAUT

ნაწილი საფონდო: 5153

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი