მეხსიერება

MTFC128GAPALNA-AIT ES TR

MTFC128GAPALNA-AIT ES TR

ნაწილი საფონდო: 119

სასურველი
MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D

MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 1818

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT25QU128ABB1EW7-CSIT TR

MT25QU128ABB1EW7-CSIT TR

ნაწილი საფონდო: 8495

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B

MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B

ნაწილი საფონდო: 6105

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MTFC16GAKAEJP-AIT

MTFC16GAKAEJP-AIT

ნაწილი საფონდო: 39

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES

MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES

ნაწილი საფონდო: 670

სასურველი
MT25TL01GHBB8ESF-0AAT

MT25TL01GHBB8ESF-0AAT

ნაწილი საფონდო: 1426

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C

MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C

ნაწილი საფონდო: 1496

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR

MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR

ნაწილი საფონდო: 84

სასურველი
MT53D768M64D4SQ-046 WT:A

MT53D768M64D4SQ-046 WT:A

ნაწილი საფონდო: 6849

სასურველი
MTFC8GAMALNA-AAT ES

MTFC8GAMALNA-AAT ES

ნაწილი საფონდო: 7781

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8),

სასურველი
MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D TR

MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 3167

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B

MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B

ნაწილი საფონდო: 2118

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT28EW128ABA1HPC-1SIT TR

MT28EW128ABA1HPC-1SIT TR

ნაწილი საფონდო: 4725

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8, 8M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
MT53D1024M64D8WF-053 WT ES:D

MT53D1024M64D8WF-053 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 2067

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 64Gb (1G x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MTFC32GAPALNA-AAT TR

MTFC32GAPALNA-AAT TR

ნაწილი საფონდო: 2960

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8),

სასურველი
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-M

MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-M

ნაწილი საფონდო: 8044

სასურველი
MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D TR

MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 2750

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A

MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A

ნაწილი საფონდო: 5438

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT53D4DBBP-DC

MT53D4DBBP-DC

ნაწილი საფონდო: 2298

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
PN28F128M29EWHA TR

PN28F128M29EWHA TR

ნაწილი საფონდო: 731

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8, 8M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
EDF8164A3MC-GD-F-R TR

EDF8164A3MC-GD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 8392

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (128M x 64), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT53D768M64D8JS-053 WT ES:D

MT53D768M64D8JS-053 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 6938

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 48Gb (768M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MTFC32GAMAKAM-WT ES TR

MTFC32GAMAKAM-WT ES TR

ნაწილი საფონდო: 9362

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8),

სასურველი
MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G TR

MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G TR

ნაწილი საფონდო: 4175

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 267MHz,

სასურველი
MT41J256M16LY-091G:N TR

MT41J256M16LY-091G:N TR

ნაწილი საფონდო: 3456

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16), საათის სიხშირე: 1GHz,

სასურველი
MT61M256M32JE-12 AAT:A

MT61M256M32JE-12 AAT:A

ნაწილი საფონდო: 7267

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: RAM, ტექნოლოგია: SGRAM - GDDR6, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1.5GHz,

სასურველი
MT29F256G08CECEBJ4-37ITRES:E TR

MT29F256G08CECEBJ4-37ITRES:E TR

ნაწილი საფონდო: 8558

სასურველი
MT25QL128ABB1EW7-CAUT

MT25QL128ABB1EW7-CAUT

ნაწილი საფონდო: 5160

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT25QU128ABB8ESF-0AUT TR

MT25QU128ABB8ESF-0AUT TR

ნაწილი საფონდო: 3860

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D

MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 2380

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT53B4DBDT-DC TR

MT53B4DBDT-DC TR

ნაწილი საფონდო: 9055

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
MT28EW512ABA1LPC-1SIT

MT28EW512ABA1LPC-1SIT

ნაწილი საფონდო: 4855

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
MT53B256M64D2TG-062 XT ES:C

MT53B256M64D2TG-062 XT ES:C

ნაწილი საფონდო: 3234

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT25QL128QLHS8E3WC2-0AAT

MT25QL128QLHS8E3WC2-0AAT

ნაწილი საფონდო: 7886

სასურველი
MT35XU01GBBA1G12-0AAT TR

MT35XU01GBBA1G12-0AAT TR

ნაწილი საფონდო: 3618

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz,

სასურველი