მეხსიერება

MT51K256M32HF-70:A

MT51K256M32HF-70:A

ნაწილი საფონდო: 1285

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: RAM, ტექნოლოგია: SGRAM - GDDR5, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1.75GHz,

სასურველი
MT28HL08GNBB3EBK-0GCT

MT28HL08GNBB3EBK-0GCT

ნაწილი საფონდო: 2043

სასურველი
MT41K256M16TW-107 AT:P

MT41K256M16TW-107 AT:P

ნაწილი საფონდო: 1513

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MTFC16GJGEF-AIT Z TR

MTFC16GJGEF-AIT Z TR

ნაწილი საფონდო: 2672

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი
MT40A4G4NRE-083E C:B

MT40A4G4NRE-083E C:B

ნაწილი საფონდო: 1413

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (4G x 4), საათის სიხშირე: 1.2GHz,

სასურველი
MT29F16G08ABECBM72A3WC1P

MT29F16G08ABECBM72A3WC1P

ნაწილი საფონდო: 108

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 16Gb (2G x 8),

სასურველი
MTFC16GJGEF-AIT Z

MTFC16GJGEF-AIT Z

ნაწილი საფონდო: 2612

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი
MT29F128G08CBCABL85A3WC1-M

MT29F128G08CBCABL85A3WC1-M

ნაწილი საფონდო: 879

სასურველი
MT53D4DABD-DC

MT53D4DABD-DC

ნაწილი საფონდო: 3664

სასურველი
MT47H128M16RT-25E AAT:C

MT47H128M16RT-25E AAT:C

ნაწილი საფონდო: 3100

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 2Gb (128M x 16), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MTFC128GAOAMEA-WT ES

MTFC128GAOAMEA-WT ES

ნაწილი საფონდო: 7309

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8),

სასურველი
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR

MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR

ნაწილი საფონდო: 78

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT53D384M64D4KA-046 XT ES:E TR

MT53D384M64D4KA-046 XT ES:E TR

ნაწილი საფონდო: 9264

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT53D2048M32D8QD-062 WT ES:D

MT53D2048M32D8QD-062 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 2079

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 64Gb (2G x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT53D1G32D4NQ-062 WT:D

MT53D1G32D4NQ-062 WT:D

ნაწილი საფონდო: 2063

სასურველი
MT25QL256ABA8ESF-MSIT

MT25QL256ABA8ESF-MSIT

ნაწილი საფონდო: 1246

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT53E2G32D8QD-046 WT:E

MT53E2G32D8QD-046 WT:E

ნაწილი საფონდო: 7199

სასურველი
MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-M

MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-M

ნაწილი საფონდო: 4349

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8),

სასურველი
MT53D8DANZ-DC TR

MT53D8DANZ-DC TR

ნაწილი საფონდო: 9867

სასურველი
MT53B2DATG-DC

MT53B2DATG-DC

ნაწილი საფონდო: 5790

სასურველი
MTFC16GANALEA-WT

MTFC16GANALEA-WT

ნაწილი საფონდო: 7475

სასურველი
MT53D1G32D4NQ-053 WT ES:E TR

MT53D1G32D4NQ-053 WT ES:E TR

ნაწილი საფონდო: 9157

სასურველი
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A

MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A

ნაწილი საფონდო: 109

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MTFC16GAPALBH-AIT ES TR

MTFC16GAPALBH-AIT ES TR

ნაწილი საფონდო: 243

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR

MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR

ნაწილი საფონდო: 2702

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT53D512M64D4BP-046 WT:E

MT53D512M64D4BP-046 WT:E

ნაწილი საფონდო: 6649

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT53D4DBNW-DC

MT53D4DBNW-DC

ნაწილი საფონდო: 8406

სასურველი
MT53D1G32D4NQ-062 WT:D TR

MT53D1G32D4NQ-062 WT:D TR

ნაწილი საფონდო: 3285

სასურველი
MTFC128GAPALNA-AAT

MTFC128GAPALNA-AAT

ნაწილი საფონდო: 7379

სასურველი
MT61M256M32JE-10 N:A

MT61M256M32JE-10 N:A

ნაწილი საფონდო: 7245

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: RAM, ტექნოლოგია: SGRAM - GDDR6, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1.25GHz,

სასურველი
MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C TR

MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C TR

ნაწილი საფონდო: 3147

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MTFC16GAPALNA-AIT

MTFC16GAPALNA-AIT

ნაწილი საფონდო: 7480

სასურველი
MT28EW01GABA1LPC-1SIT TR

MT28EW01GABA1LPC-1SIT TR

ნაწილი საფონდო: 3512

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8, 64M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
MT53B4DCNQ-DC TR

MT53B4DCNQ-DC TR

ნაწილი საფონდო: 3144

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT

MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT

ნაწილი საფონდო: 1075

სასურველი
MT29F4G08ABBDAHC-IT:D

MT29F4G08ABBDAHC-IT:D

ნაწილი საფონდო: 1031

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8),

სასურველი