მეხსიერება

MTFC32GAKAENA-4M IT TR

MTFC32GAKAENA-4M IT TR

ნაწილი საფონდო: 4886

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8),

სასურველი
MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR

MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR

ნაწილი საფონდო: 35

სასურველი
M58LT128HST8ZA6F TR

M58LT128HST8ZA6F TR

ნაწილი საფონდო: 2608

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 52MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 85ns,

სასურველი
MT53B512M32D2NP-062 AIT:C

MT53B512M32D2NP-062 AIT:C

ნაწილი საფონდო: 66

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR

MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR

ნაწილი საფონდო: 69

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT29E768G08EEHBBJ4-3:B

MT29E768G08EEHBBJ4-3:B

ნაწილი საფონდო: 51

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 768Gb (96G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT53D512M32D2DS-053 WT:D

MT53D512M32D2DS-053 WT:D

ნაწილი საფონდო: 39

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR

MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR

ნაწილი საფონდო: 2227

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 288Mb (16M x 18), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR

MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR

ნაწილი საფონდო: 117

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT52L256M64D2FT-107 WT:B

MT52L256M64D2FT-107 WT:B

ნაწილი საფონდო: 28

სასურველი
MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR

MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR

ნაწილი საფონდო: 44

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (768M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR

MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR

ნაწილი საფონდო: 94

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT49H16M36SJ-25E:B

MT49H16M36SJ-25E:B

ნაწილი საფონდო: 1561

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (16M x 36), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MTFC32GAPALBH-AAT TR

MTFC32GAPALBH-AAT TR

ნაწილი საფონდო: 107

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8),

სასურველი
MTFC32GJWDQ-4L AIT Z

MTFC32GJWDQ-4L AIT Z

ნაწილი საფონდო: 8056

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8),

სასურველი
MT44K32M18RB-107E:B

MT44K32M18RB-107E:B

ნაწილი საფონდო: 112

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (32M x 18), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MTFC64GAOAMEA-WT

MTFC64GAOAMEA-WT

ნაწილი საფონდო: 81

სასურველი
MT44K16M36RB-093F:B TR

MT44K16M36RB-093F:B TR

ნაწილი საფონდო: 1224

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (16M x 36), საათის სიხშირე: 1067MHz,

სასურველი
MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A

MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A

ნაწილი საფონდო: 2556

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 32Gb (4G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MT48LC8M32B2B5-7 TR

MT48LC8M32B2B5-7 TR

ნაწილი საფონდო: 2317

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (8M x 32), საათის სიხშირე: 143MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 14ns,

სასურველი
MT53B512M32D2NP-053 WT:C

MT53B512M32D2NP-053 WT:C

ნაწილი საფონდო: 88

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT45W4MW16BFB-706 WT F

MT45W4MW16BFB-706 WT F

ნაწილი საფონდო: 2364

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: PSRAM, ტექნოლოგია: PSRAM (Pseudo SRAM), მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR

ნაწილი საფონდო: 132

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT29F256G08CBCBBL06B3WC1

MT29F256G08CBCBBL06B3WC1

ნაწილი საფონდო: 2146

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8),

სასურველი
MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR

MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR

ნაწილი საფონდო: 73

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT51K256M32HF-60 N:B

MT51K256M32HF-60 N:B

ნაწილი საფონდო: 34

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: RAM, ტექნოლოგია: SGRAM - GDDR5, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1.5GHz,

სასურველი
MT52L768M32D3PU-107 WT:B

MT52L768M32D3PU-107 WT:B

ნაწილი საფონდო: 120

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 24Gb (768M x 32), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR

MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR

ნაწილი საფონდო: 61

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT53B256M64D2NL-062 XT:C

MT53B256M64D2NL-062 XT:C

ნაწილი საფონდო: 2531

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT53B384M64D4NK-053 WT:B

MT53B384M64D4NK-053 WT:B

ნაწილი საფონდო: 63

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C

MT53B512M32D2DS-062 AAT:C

ნაწილი საფონდო: 85

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT53E512M32D2NP-046 WT:E

MT53E512M32D2NP-046 WT:E

ნაწილი საფონდო: 107

სასურველი
MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E

MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E

ნაწილი საფონდო: 7307

სასურველი
MT53D256M64D4NY-046 XT:B

MT53D256M64D4NY-046 XT:B

ნაწილი საფონდო: 99

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT40A2G8NRE-083E:B

MT40A2G8NRE-083E:B

ნაწილი საფონდო: 42

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (2G x 8), საათის სიხშირე: 1.2GHz,

სასურველი
MTFC32GJWEF-4M AIT Z TR

MTFC32GJWEF-4M AIT Z TR

ნაწილი საფონდო: 1487

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8),

სასურველი