მეხსიერება

MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR

MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR

ნაწილი საფონდო: 94

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MTFC32GAKAEEF-AAT

MTFC32GAKAEEF-AAT

ნაწილი საფონდო: 68

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8),

სასურველი
MT44K32M18RB-107E:B TR

MT44K32M18RB-107E:B TR

ნაწილი საფონდო: 1686

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (32M x 18), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MTA4ATF51264AZ-2G6E1

MTA4ATF51264AZ-2G6E1

ნაწილი საფონდო: 47

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1333MHz,

სასურველი
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C

ნაწილი საფონდო: 64

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT53B384M64D4NK-053 WT:B TR

MT53B384M64D4NK-053 WT:B TR

ნაწილი საფონდო: 1304

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT53B768M32D4NQ-062 WT:B

MT53B768M32D4NQ-062 WT:B

ნაწილი საფონდო: 105

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (768M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR

MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR

ნაწილი საფონდო: 62

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
MT49H32M18CSJ-18:B

MT49H32M18CSJ-18:B

ნაწილი საფონდო: 1248

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (32M x 18), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MTFC64GAPALBH-AIT TR

MTFC64GAPALBH-AIT TR

ნაწილი საფონდო: 118

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8),

სასურველი
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B

MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B

ნაწილი საფონდო: 120

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 768Gb (96G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT53B1G32D4NQ-062 WT:D TR

MT53B1G32D4NQ-062 WT:D TR

ნაწილი საფონდო: 2782

სასურველი
MT51K256M32HF-60 N:B TR

MT51K256M32HF-60 N:B TR

ნაწილი საფონდო: 100

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: RAM, ტექნოლოგია: SGRAM - GDDR5, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1.5GHz,

სასურველი
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

ნაწილი საფონდო: 1238

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT53B256M64D2TP-062 L XT:C

MT53B256M64D2TP-062 L XT:C

ნაწილი საფონდო: 2762

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D

MT53D512M32D2DS-053 AAT:D

ნაწილი საფონდო: 75

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT49H32M18SJ-25:B

MT49H32M18SJ-25:B

ნაწილი საფონდო: 1725

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (32M x 18), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D

MT53D512M32D2DS-053 AIT:D

ნაწილი საფონდო: 125

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR

MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR

ნაწილი საფონდო: 129

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT44K16M36RB-093E:B

MT44K16M36RB-093E:B

ნაწილი საფონდო: 135

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (16M x 36), საათის სიხშირე: 1067MHz,

სასურველი
MT29F384G08EBCBBB0KB3WC1

MT29F384G08EBCBBB0KB3WC1

ნაწილი საფონდო: 2088

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 384Gb (48G x 8),

სასურველი
MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR

MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR

ნაწილი საფონდო: 1771

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
MT52L768M32D3PU-107 WT:B TR

MT52L768M32D3PU-107 WT:B TR

ნაწილი საფონდო: 1740

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 24Gb (768M x 32), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT49H32M18CSJ-18:B TR

MT49H32M18CSJ-18:B TR

ნაწილი საფონდო: 1212

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (32M x 18), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT44K32M18RB-093E:B

MT44K32M18RB-093E:B

ნაწილი საფონდო: 92

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (32M x 18), საათის სიხშირე: 1067MHz,

სასურველი
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR

MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR

ნაწილი საფონდო: 1351

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT49H16M36SJ-25:B TR

MT49H16M36SJ-25:B TR

ნაწილი საფონდო: 1719

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (16M x 36), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A TR

MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A TR

ნაწილი საფონდო: 1263

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8),

სასურველი
MT52L512M32D2PF-093 WT:B TR

MT52L512M32D2PF-093 WT:B TR

ნაწილი საფონდო: 2108

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 1067MHz,

სასურველი
MT49H16M36SJ-25E:B TR

MT49H16M36SJ-25E:B TR

ნაწილი საფონდო: 1614

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (16M x 36), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D TR

MT53D512M32D2DS-053 AIT:D TR

ნაწილი საფონდო: 130

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT52L512M32D2PF-093 WT:B

MT52L512M32D2PF-093 WT:B

ნაწილი საფონდო: 81

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 1067MHz,

სასურველი
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B TR

MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B TR

ნაწილი საფონდო: 1079

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 768Gb (96G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A

MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A

ნაწილი საფონდო: 46

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A

MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A

ნაწილი საფონდო: 115

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT40A1G16WBU-083E:B TR

MT40A1G16WBU-083E:B TR

ნაწილი საფონდო: 1300

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (1G x 16), საათის სიხშირე: 1.2GHz,

სასურველი