მეხსიერება

MT29F2G16AABWP-ET TR

MT29F2G16AABWP-ET TR

ნაწილი საფონდო: 6046

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (128M x 16),

სასურველი
JS28F160C3TD70A

JS28F160C3TD70A

ნაწილი საფონდო: 9731

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - Boot Block, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT46V64M8TG-5B:D TR

MT46V64M8TG-5B:D TR

ნაწილი საფონდო: 674

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT47H128M8BT-5E L:A

MT47H128M8BT-5E L:A

ნაწილი საფონდო: 8299

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC4M16A2TG-75:G TR

MT48LC4M16A2TG-75:G TR

ნაწილი საფონდო: 1470

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT52L1G32D4PG-107 WT:B

MT52L1G32D4PG-107 WT:B

ნაწილი საფონდო: 1269

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 32Gb (1G x 32), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
TE28F160B3BD70A

TE28F160B3BD70A

ნაწილი საფონდო: 7286

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - Boot Block, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT52L1G32D4PG-093 WT:B

MT52L1G32D4PG-093 WT:B

ნაწილი საფონდო: 1043

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 32Gb (1G x 32), საათის სიხშირე: 1067MHz,

სასურველი
MTFC64GAJAEDQ-AAT

MTFC64GAJAEDQ-AAT

ნაწილი საფონდო: 36

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8),

სასურველი
MT46V16M16P-6T IT:F TR

MT46V16M16P-6T IT:F TR

ნაწილი საფონდო: 9366

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V128M4FN-5B:F TR

MT46V128M4FN-5B:F TR

ნაწილი საფონდო: 8614

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (128M x 4), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V32M16FN-5B:F TR

MT46V32M16FN-5B:F TR

ნაწილი საფონდო: 7206

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V64M4TG-6T:G TR

MT46V64M4TG-6T:G TR

ნაწილი საფონდო: 2052

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (64M x 4), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46H8M16LFCF-75 IT

MT46H8M16LFCF-75 IT

ნაწილი საფონდო: 2694

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B

MT29E1T08CMHBBJ4-3:B

ნაწილი საფონდო: 115

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT46V64M4P-5B:G

MT46V64M4P-5B:G

ნაწილი საფონდო: 8056

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (64M x 4), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
M29W320DB70N6E

M29W320DB70N6E

ნაწილი საფონდო: 37419

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
M25P40-VMN6T TR

M25P40-VMN6T TR

ნაწილი საფონდო: 9460

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), საათის სიხშირე: 50MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ms, 5ms,

სასურველი
PC28F256P30T85A

PC28F256P30T85A

ნაწილი საფონდო: 9703

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 52MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 85ns,

სასურველი
MT47H32M16CC-37E L:B TR

MT47H32M16CC-37E L:B TR

ნაწილი საფონდო: 8408

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 267MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V256M4P-6T:A TR

MT46V256M4P-6T:A TR

ნაწილი საფონდო: 6974

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (256M x 4), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MTFC64GAJAECE-AAT

MTFC64GAJAECE-AAT

ნაწილი საფონდო: 71

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8),

სასურველი
MT46V32M8P-6T IT:G

MT46V32M8P-6T IT:G

ნაწილი საფონდო: 7850

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT44K64M18RB-107E:A

MT44K64M18RB-107E:A

ნაწილი საფონდო: 66

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 1.125Gb (64Mb x 18), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT48LC32M8A2FB-75:D TR

MT48LC32M8A2FB-75:D TR

ნაწილი საფონდო: 1421

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V128M4P-6T:F TR

MT46V128M4P-6T:F TR

ნაწილი საფონდო: 6688

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (128M x 4), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V128M8P-6T:A

MT46V128M8P-6T:A

ნაწილი საფონდო: 6753

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT44K64M18RB-083F:A

MT44K64M18RB-083F:A

ნაწილი საფონდო: 119

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 1.125Gb (64Mb x 18), საათის სიხშირე: 1200MHz,

სასურველი
RD28F1604C3BD70A

RD28F1604C3BD70A

ნაწილი საფონდო: 7361

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, RAM, ტექნოლოგია: FLASH, SRAM, მეხსიერების ზომა: 16Mbit Flash, 4Mbit RAM, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT46V32M4P-5B:D

MT46V32M4P-5B:D

ნაწილი საფონდო: 7706

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (32M x 4), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
JS28F128P30T85A

JS28F128P30T85A

ნაწილი საფონდო: 9568

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 40MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 85ns,

სასურველი
MT48LC8M16LFF4-75M IT:G

MT48LC8M16LFF4-75M IT:G

ნაწილი საფონდო: 5860

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
RC28F320C3TD70A

RC28F320C3TD70A

ნაწილი საფონდო: 752

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - Boot Block, მეხსიერების ზომა: 32Mb (2M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:A

MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:A

ნაწილი საფონდო: 637

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A TR

MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A TR

ნაწილი საფონდო: 661

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MT53D384M64D4KA-046 XT:E TR

MT53D384M64D4KA-046 XT:E TR

ნაწილი საფონდო: 101

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი