მეხსიერება

MT48LC16M8A2P-75:GTR

MT48LC16M8A2P-75:GTR

ნაწილი საფონდო: 9247

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT28F640J3RG-115 ET TR

MT28F640J3RG-115 ET TR

ნაწილი საფონდო: 95

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH, მეხსიერების ზომა: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

სასურველი
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D

MT53D512M64D4NZ-053 WT:D

ნაწილი საფონდო: 89

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MTFC128GAJAECE-AIT TR

MTFC128GAJAECE-AIT TR

ნაწილი საფონდო: 102

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8),

სასურველი
MT29F4G08BABWP-ET

MT29F4G08BABWP-ET

ნაწილი საფონდო: 6156

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8),

სასურველი
MT48LC8M16A2P-7E:G TR

MT48LC8M16A2P-7E:G TR

ნაწილი საფონდო: 1954

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 14ns,

სასურველი
MT29TZZZAD8DKKBT-107 W.9F8 TR

MT29TZZZAD8DKKBT-107 W.9F8 TR

ნაწილი საფონდო: 2438

სასურველი
MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D

MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D

ნაწილი საფონდო: 106

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (1G x 32), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR

MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR

ნაწილი საფონდო: 1061

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MT46V16M8P-6T:DTR

MT46V16M8P-6T:DTR

ნაწილი საფონდო: 9038

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC16M16A2TG-75:D TR

MT48LC16M16A2TG-75:D TR

ნაწილი საფონდო: 2136

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V64M8P-6T:F

MT46V64M8P-6T:F

ნაწილი საფონდო: 8238

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MTFC64GAJAEDN-AIT TR

MTFC64GAJAEDN-AIT TR

ნაწილი საფონდო: 989

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8),

სასურველი
MT48LC16M8A2P-75IT:GTR

MT48LC16M8A2P-75IT:GTR

ნაწილი საფონდო: 9228

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
TE28F160B3TD70A

TE28F160B3TD70A

ნაწილი საფონდო: 1710

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - Boot Block, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT46V64M8FN-5B:D TR

MT46V64M8FN-5B:D TR

ნაწილი საფონდო: 715

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC4M32B2B5-7 IT:G TR

MT48LC4M32B2B5-7 IT:G TR

ნაწილი საფონდო: 9510

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (4M x 32), საათის სიხშირე: 143MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 14ns,

სასურველი
MT44K64M18RB-093E:A

MT44K64M18RB-093E:A

ნაწილი საფონდო: 130

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 1.125Gb (64Mb x 18), საათის სიხშირე: 1067MHz,

სასურველი
MT46V32M8BG-6 IT:G TR

MT46V32M8BG-6 IT:G TR

ნაწილი საფონდო: 7889

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT28HL32GQBB3ERK-0GCT TR

MT28HL32GQBB3ERK-0GCT TR

ნაწილი საფონდო: 40

სასურველი
MT47H64M8CB-5E IT:B TR

MT47H64M8CB-5E IT:B TR

ნაწილი საფონდო: 8630

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V64M8P-6T IT:F

MT46V64M8P-6T IT:F

ნაწილი საფონდო: 8215

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V32M8P-6TL:GTR

MT46V32M8P-6TL:GTR

ნაწილი საფონდო: 9113

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
M29F400BT70N6

M29F400BT70N6

ნაწილი საფონდო: 966

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT48LC16M16A2TG-7E:D TR

MT48LC16M16A2TG-7E:D TR

ნაწილი საფონდო: 1217

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 14ns,

სასურველი
MT46V256M4P-75:A

MT46V256M4P-75:A

ნაწილი საფონდო: 7067

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (256M x 4), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46H8M16LFCF-75

MT46H8M16LFCF-75

ნაწილი საფონდო: 6471

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V32M16P-5B:F

MT46V32M16P-5B:F

ნაწილი საფონდო: 7195

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V128M4TG-5B:F

MT46V128M4TG-5B:F

ნაწილი საფონდო: 6653

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (128M x 4), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MTFC64GAJAECE-AIT

MTFC64GAJAECE-AIT

ნაწილი საფონდო: 54

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8),

სასურველი
MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A

MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A

ნაწილი საფონდო: 675

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MT48LC4M32B2TG-6:G TR

MT48LC4M32B2TG-6:G TR

ნაწილი საფონდო: 1815

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (4M x 32), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
MT47H32M16CC-5E IT:B

MT47H32M16CC-5E IT:B

ნაწილი საფონდო: 8433

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC32M8A2P-75:D TR

MT48LC32M8A2P-75:D TR

ნაწილი საფონდო: 9490

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT45W4MW16BCGB-708 WT

MT45W4MW16BCGB-708 WT

ნაწილი საფონდო: 6389

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: PSRAM, ტექნოლოგია: PSRAM (Pseudo SRAM), მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT48LC32M16A2TG-75:C TR

MT48LC32M16A2TG-75:C TR

ნაწილი საფონდო: 1353

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი