მეხსიერება

MT48LC16M4A2TG-75:G TR

MT48LC16M4A2TG-75:G TR

ნაწილი საფონდო: 2114

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 64Mb (16M x 4), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V32M8TG-5B:G TR

MT46V32M8TG-5B:G TR

ნაწილი საფონდო: 348

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC4M32B2P-7 IT:G TR

MT48LC4M32B2P-7 IT:G TR

ნაწილი საფონდო: 9510

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (4M x 32), საათის სიხშირე: 143MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 14ns,

სასურველი
MT46V32M8P-6T:GTR

MT46V32M8P-6T:GTR

ნაწილი საფონდო: 9086

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT47H16M16BG-3:B TR

MT47H16M16BG-3:B TR

ნაწილი საფონდო: 971

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 333MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
M29F200BB70N6T TR

M29F200BB70N6T TR

ნაწილი საფონდო: 910

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Mb (256K x 8, 128K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
PC28F800C3BD70A

PC28F800C3BD70A

ნაწილი საფონდო: 8403

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - Boot Block, მეხსიერების ზომა: 8Mb (512K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT53D1024M32D4BD-053 WT:D

MT53D1024M32D4BD-053 WT:D

ნაწილი საფონდო: 43

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (1G x 32), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT48LC4M16A2P-75:G TR

MT48LC4M16A2P-75:G TR

ნაწილი საფონდო: 1484

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT44K64M18RB-107E:A TR

MT44K64M18RB-107E:A TR

ნაწილი საფონდო: 1231

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 1.125Gb (64Mb x 18), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT46V128M4BN-5B:F TR

MT46V128M4BN-5B:F TR

ნაწილი საფონდო: 6620

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (128M x 4), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V16M16FG-5B:F TR

MT46V16M16FG-5B:F TR

ნაწილი საფონდო: 146

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT47H32M16CC-37E IT:B

MT47H32M16CC-37E IT:B

ნაწილი საფონდო: 2850

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 267MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D TR

MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D TR

ნაწილი საფონდო: 101

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (1G x 32), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT46V64M4FG-5B:G TR

MT46V64M4FG-5B:G TR

ნაწილი საფონდო: 407

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (64M x 4), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
M25P10-AVMN6P

M25P10-AVMN6P

ნაწილი საფონდო: 7355

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), საათის სიხშირე: 50MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ms, 5ms,

სასურველი
MT46V128M4BN-6:F

MT46V128M4BN-6:F

ნაწილი საფონდო: 6532

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (128M x 4), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT49H16M36SJ-18 IT:B TR

MT49H16M36SJ-18 IT:B TR

ნაწილი საფონდო: 1228

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (16M x 36), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT46V32M16P-6T L:F

MT46V32M16P-6T L:F

ნაწილი საფონდო: 7222

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V64M4BG-6:GTR

MT46V64M4BG-6:GTR

ნაწილი საფონდო: 9119

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (64M x 4), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
M29F040B90N6

M29F040B90N6

ნაწილი საფონდო: 8840

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 90ns,

სასურველი
MT46V8M16P-6T:D TR

MT46V8M16P-6T:D TR

ნაწილი საფონდო: 2970

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
M29DW323DB70N6

M29DW323DB70N6

ნაწილი საფონდო: 8794

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A TR

MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A TR

ნაწილი საფონდო: 699

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი
MT29F4G08BABWP-ET TR

MT29F4G08BABWP-ET TR

ნაწილი საფონდო: 6284

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8),

სასურველი
MT46V64M8TG-6T:D TR

MT46V64M8TG-6T:D TR

ნაწილი საფონდო: 839

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V64M8P-6T:F TR

MT46V64M8P-6T:F TR

ნაწილი საფონდო: 9205

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT53B512M64D4TX-053 WT:C TR

MT53B512M64D4TX-053 WT:C TR

ნაწილი საფონდო: 1287

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT48LC8M8A2TG-75:G TR

MT48LC8M8A2TG-75:G TR

ნაწილი საფონდო: 2039

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 64Mb (8M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC2M32B2TG-7:G TR

MT48LC2M32B2TG-7:G TR

ნაწილი საფონდო: 1263

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 64Mb (2M x 32), საათის სიხშირე: 143MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 14ns,

სასურველი
MTFC64GAKAEYF-4M IT TR

MTFC64GAKAEYF-4M IT TR

ნაწილი საფონდო: 104

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8),

სასურველი
MT48LC4M16A2P-75 IT:G TR

MT48LC4M16A2P-75 IT:G TR

ნაწილი საფონდო: 1431

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48V8M32LFB5-8 IT TR

MT48V8M32LFB5-8 IT TR

ნაწილი საფონდო: 2018

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (8M x 32), საათის სიხშირე: 125MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC16M16A2TG-75 L:D TR

MT48LC16M16A2TG-75 L:D TR

ნაწილი საფონდო: 1176

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D

MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D

ნაწილი საფონდო: 132

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (1G x 32), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT46V32M16FN-6 IT:F TR

MT46V32M16FN-6 IT:F TR

ნაწილი საფონდო: 7155

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი