მეხსიერება

MT53D512M64D4RQ-053 WT:E

MT53D512M64D4RQ-053 WT:E

ნაწილი საფონდო: 42

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
M25P80-VMP6T TR

M25P80-VMP6T TR

ნაწილი საფონდო: 7607

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8), საათის სიხშირე: 75MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ms, 5ms,

სასურველი
MT48LC16M16A2P-75 IT:D TR

MT48LC16M16A2P-75 IT:D TR

ნაწილი საფონდო: 1115

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC8M16LFTG-75M:G

MT48LC8M16LFTG-75M:G

ნაწილი საფონდო: 2675

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT53E1G32D4NQ-053 WT:E

MT53E1G32D4NQ-053 WT:E

ნაწილი საფონდო: 100

სასურველი
MT46V32M16TG-6T:F

MT46V32M16TG-6T:F

ნაწილი საფონდო: 7650

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT49H16M36SJ-18 IT:B

MT49H16M36SJ-18 IT:B

ნაწილი საფონდო: 1209

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (16M x 36), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT29TZZZ7D7EKKBT-107 W.97V

MT29TZZZ7D7EKKBT-107 W.97V

ნაწილი საფონდო: 59

სასურველი
MT46V16M16BG-6:F TR

MT46V16M16BG-6:F TR

ნაწილი საფონდო: 9319

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V128M4TG-6T:F TR

MT46V128M4TG-6T:F TR

ნაწილი საფონდო: 8707

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (128M x 4), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V256M4P-75:A TR

MT46V256M4P-75:A TR

ნაწილი საფონდო: 7046

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (256M x 4), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V64M8FN-6 IT:F TR

MT46V64M8FN-6 IT:F TR

ნაწილი საფონდო: 8109

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC16M16A2P-75 L:D TR

MT48LC16M16A2P-75 L:D TR

ნაწილი საფონდო: 9430

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MTFC64GAKAEEY-3M WT

MTFC64GAKAEEY-3M WT

ნაწილი საფონდო: 1097

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8),

სასურველი
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B

MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B

ნაწილი საფონდო: 130

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1.5Tb (192G x 8),

სასურველი
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR

MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR

ნაწილი საფონდო: 616

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT46V128M4P-5B:F

MT46V128M4P-5B:F

ნაწილი საფონდო: 6662

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (128M x 4), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC16M16A2P-7E IT:D TR

MT48LC16M16A2P-7E IT:D TR

ნაწილი საფონდო: 9415

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 14ns,

სასურველი
MTFC64GAJAECE-AIT TR

MTFC64GAJAECE-AIT TR

ნაწილი საფონდო: 76

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8),

სასურველი
MT48LC32M8A2TG-7E:D TR

MT48LC32M8A2TG-7E:D TR

ნაწილი საფონდო: 1397

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 14ns,

სასურველი
MT46V8M16TG-6T IT:D TR

MT46V8M16TG-6T IT:D TR

ნაწილი საფონდო: 890

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V256M4P-6T:A

MT46V256M4P-6T:A

ნაწილი საფონდო: 7004

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (256M x 4), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC2M32B2P-7 IT:G TR

MT48LC2M32B2P-7 IT:G TR

ნაწილი საფონდო: 1304

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 64Mb (2M x 32), საათის სიხშირე: 143MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 14ns,

სასურველი
MTFC64GAKAEYF-4M IT

MTFC64GAKAEYF-4M IT

ნაწილი საფონდო: 123

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8),

სასურველი
MTFC128GAPALNS-AAT TR

MTFC128GAPALNS-AAT TR

ნაწილი საფონდო: 57

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8),

სასურველი
M29W320EB70ZE6E

M29W320EB70ZE6E

ნაწილი საფონდო: 39107

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
M29F800DB70N6

M29F800DB70N6

ნაწილი საფონდო: 8837

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR

MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR

ნაწილი საფონდო: 77

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT29F128G08AKCABH2-10Z:A

MT29F128G08AKCABH2-10Z:A

ნაწილი საფონდო: 714

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MTFC128GAOANAM-WT

MTFC128GAOANAM-WT

ნაწილი საფონდო: 77

სასურველი
MT29F2G08AABWP-ET TR

MT29F2G08AABWP-ET TR

ნაწილი საფონდო: 6025

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8),

სასურველი
M29W400BB90N6

M29W400BB90N6

ნაწილი საფონდო: 925

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 90ns,

სასურველი
M29W320DB70N6

M29W320DB70N6

ნაწილი საფონდო: 8905

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT28F128J3FS-12 ET TR

MT28F128J3FS-12 ET TR

ნაწილი საფონდო: 10048

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8, 8M x 16),

სასურველი
MTFC64GAKAEEY-3M WT TR

MTFC64GAKAEEY-3M WT TR

ნაწილი საფონდო: 1079

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8),

სასურველი
MTFC64GAJAEDQ-AIT

MTFC64GAJAEDQ-AIT

ნაწილი საფონდო: 104

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8),

სასურველი