მეხსიერება

M29W400BT70N6

M29W400BT70N6

ნაწილი საფონდო: 8947

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT46H8M16LFCF-10 IT

MT46H8M16LFCF-10 IT

ნაწილი საფონდო: 6354

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48H8M32LFB5-8 TR

MT48H8M32LFB5-8 TR

ნაწილი საფონდო: 1081

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (8M x 32), საათის სიხშირე: 125MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D TR

MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D TR

ნაწილი საფონდო: 94

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MT46V8M16P-6TIT:DTR

MT46V8M16P-6TIT:DTR

ნაწილი საფონდო: 9198

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
M29W160EB70N6E

M29W160EB70N6E

ნაწილი საფონდო: 43101

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT46V32M16FN-6 IT:F

MT46V32M16FN-6 IT:F

ნაწილი საფონდო: 7126

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT29F4G08BBBWP TR

MT29F4G08BBBWP TR

ნაწილი საფონდო: 6014

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8),

სასურველი
MT44K32M36RB-093E:A TR

MT44K32M36RB-093E:A TR

ნაწილი საფონდო: 914

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 1.125Gb (32Mb x 36), საათის სიხშირე: 1067MHz,

სასურველი
MT46V32M16TG-5B:F

MT46V32M16TG-5B:F

ნაწილი საფონდო: 2799

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
M25P10-AVMP6T TR

M25P10-AVMP6T TR

ნაწილი საფონდო: 7661

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), საათის სიხშირე: 50MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ms, 5ms,

სასურველი
MT46V32M16P-6T L:F TR

MT46V32M16P-6T L:F TR

ნაწილი საფონდო: 2766

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D TR

MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D TR

ნაწილი საფონდო: 46

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (1G x 32), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
RC28F160C3TD70A

RC28F160C3TD70A

ნაწილი საფონდო: 7283

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - Boot Block, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT28F320J3RG-11 ET TR

MT28F320J3RG-11 ET TR

ნაწილი საფონდო: 10057

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

სასურველი
MT53D384M64D4SB-046 XT:E

MT53D384M64D4SB-046 XT:E

ნაწილი საფონდო: 125

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT46V32M16FN-5B:F

MT46V32M16FN-5B:F

ნაწილი საფონდო: 7063

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT29E512G08CMCCBH7-6:C

MT29E512G08CMCCBH7-6:C

ნაწილი საფონდო: 1044

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MT53E1G32D4NQ-053 WT:E TR

MT53E1G32D4NQ-053 WT:E TR

ნაწილი საფონდო: 98

სასურველი
MT48V8M32LFB5-8 TR

MT48V8M32LFB5-8 TR

ნაწილი საფონდო: 2257

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (8M x 32), საათის სიხშირე: 125MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC8M32LFB5-8 IT TR

MT48LC8M32LFB5-8 IT TR

ნაწილი საფონდო: 1982

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (8M x 32), საათის სიხშირე: 125MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
PC28F160C3TD70A

PC28F160C3TD70A

ნაწილი საფონდო: 9749

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - Boot Block, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT46V16M8P-6T IT:D TR

MT46V16M8P-6T IT:D TR

ნაწილი საფონდო: 8877

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V64M8BN-5B:F TR

MT46V64M8BN-5B:F TR

ნაწილი საფონდო: 9221

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT53D1024M32D4BD-053 WT:D TR

MT53D1024M32D4BD-053 WT:D TR

ნაწილი საფონდო: 129

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (1G x 32), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
M29F016D70N6

M29F016D70N6

ნაწილი საფონდო: 8720

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
PC28F640P30B85A

PC28F640P30B85A

ნაწილი საფონდო: 9612

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), საათის სიხშირე: 52MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 85ns,

სასურველი
JS28F320C3BD70A

JS28F320C3BD70A

ნაწილი საფონდო: 9808

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - Boot Block, მეხსიერების ზომა: 32Mb (2M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT46V8M16TG-6T:D TR

MT46V8M16TG-6T:D TR

ნაწილი საფონდო: 932

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MTFC128GAOAMEA-WT TR

MTFC128GAOAMEA-WT TR

ნაწილი საფონდო: 125

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8),

სასურველი
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR

MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR

ნაწილი საფონდო: 1102

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (1G x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D

MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D

ნაწილი საფონდო: 127

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MT46V32M4P-6T:D TR

MT46V32M4P-6T:D TR

ნაწილი საფონდო: 7852

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (32M x 4), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT29F4G08BABWP TR

MT29F4G08BABWP TR

ნაწილი საფონდო: 6057

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8),

სასურველი
MT46V16M16BG-5B:F TR

MT46V16M16BG-5B:F TR

ნაწილი საფონდო: 9309

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT47H16M16BG-37V:B

MT47H16M16BG-37V:B

ნაწილი საფონდო: 8367

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 267MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი