მეხსიერება

MT48LC32M16A2P-75 IT:C TR

MT48LC32M16A2P-75 IT:C TR

ნაწილი საფონდო: 1319

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V64M8TG-6T:F TR

MT46V64M8TG-6T:F TR

ნაწილი საფონდო: 8887

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR

MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR

ნაწილი საფონდო: 121

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B

MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B

ნაწილი საფონდო: 65

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT46V16M16P-6T L:F

MT46V16M16P-6T L:F

ნაწილი საფონდო: 6831

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT53D768M64D8SQ-053 WT:E TR

MT53D768M64D8SQ-053 WT:E TR

ნაწილი საფონდო: 92

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 48Gb (768M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR

MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR

ნაწილი საფონდო: 496

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1.5Tb (192G x 8),

სასურველი
MT46V32M16FN-6:F

MT46V32M16FN-6:F

ნაწილი საფონდო: 7179

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V64M16P-6T:A TR

MT46V64M16P-6T:A TR

ნაწილი საფონდო: 7893

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
EDFP164A3PB-JD-F-R TR

EDFP164A3PB-JD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 1679

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
EDB2432BCPA-8D-F-D

EDB2432BCPA-8D-F-D

ნაწილი საფონდო: 2731

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 2Gb (64M x 32), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MT48LC4M32B2B5-6A IT:L TR

MT48LC4M32B2B5-6A IT:L TR

ნაწილი საფონდო: 9353

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (4M x 32), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
MT44K16M36RB-107E:B

MT44K16M36RB-107E:B

ნაწილი საფონდო: 106

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (16M x 36), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MTFC32GJGDQ-AIT Z TR

MTFC32GJGDQ-AIT Z TR

ნაწილი საფონდო: 1397

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8),

სასურველი
MT29F64G08AECABH1-10Z:A TR

MT29F64G08AECABH1-10Z:A TR

ნაწილი საფონდო: 1482

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MT53D512M32D2DS-046 AAT:D

MT53D512M32D2DS-046 AAT:D

ნაწილი საფონდო: 110

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MTFC32GJWEF-4M AIT Z

MTFC32GJWEF-4M AIT Z

ნაწილი საფონდო: 8158

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8),

სასურველი
MT44K16M36RB-107E:B TR

MT44K16M36RB-107E:B TR

ნაწილი საფონდო: 1650

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (16M x 36), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

ნაწილი საფონდო: 125

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MTA4ATF51264HZ-2G6E1

MTA4ATF51264HZ-2G6E1

ნაწილი საფონდო: 38

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1333MHz,

სასურველი
MT53B768M32D4DT-062 AIT:B

MT53B768M32D4DT-062 AIT:B

ნაწილი საფონდო: 108

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (768M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT49H32M18SJ-25E:B

MT49H32M18SJ-25E:B

ნაწილი საფონდო: 1558

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (32M x 18), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MT46V64M8BN-6:F TR

MT46V64M8BN-6:F TR

ნაწილი საფონდო: 2377

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT53B256M64D2PX-062 XT:C

MT53B256M64D2PX-062 XT:C

ნაწილი საფონდო: 44

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT52L256M64D2FT-107 WT:B TR

MT52L256M64D2FT-107 WT:B TR

ნაწილი საფონდო: 92

სასურველი
MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A TR

MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A TR

ნაწილი საფონდო: 1278

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MT29F16G08AJADAWP-IT:D TR

MT29F16G08AJADAWP-IT:D TR

ნაწილი საფონდო: 87

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 16Gb (2G x 8),

სასურველი
MT53B256M64D2TG-062 XT:C

MT53B256M64D2TG-062 XT:C

ნაწილი საფონდო: 52

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT49H32M18SJ-25:B TR

MT49H32M18SJ-25:B TR

ნაწილი საფონდო: 1679

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (32M x 18), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MT49H32M18SJ-25E:B TR

MT49H32M18SJ-25E:B TR

ნაწილი საფონდო: 1539

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (32M x 18), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MT40A4G4NRE-083E:B TR

MT40A4G4NRE-083E:B TR

ნაწილი საფონდო: 906

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (4G x 4), საათის სიხშირე: 1.2GHz,

სასურველი
MT44K16M36RB-093E IT:B

MT44K16M36RB-093E IT:B

ნაწილი საფონდო: 74

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (16M x 36), საათის სიხშირე: 1067MHz,

სასურველი
MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR

MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR

ნაწილი საფონდო: 82

სასურველი
MTFC32GAKAEDQ-AAT

MTFC32GAKAEDQ-AAT

ნაწილი საფონდო: 89

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8),

სასურველი
MTFC64GAPALBH-AAT

MTFC64GAPALBH-AAT

ნაწილი საფონდო: 89

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8),

სასურველი
MT53D256M64D4KA-046 XT:B

MT53D256M64D4KA-046 XT:B

ნაწილი საფონდო: 102

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი