მეხსიერება

JS28F640P30B85A

JS28F640P30B85A

ნაწილი საფონდო: 9569

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), საათის სიხშირე: 40MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 85ns,

სასურველი
MT48LC2M32B2P-7:G TR

MT48LC2M32B2P-7:G TR

ნაწილი საფონდო: 1268

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 64Mb (2M x 32), საათის სიხშირე: 143MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 14ns,

სასურველი
MT45W4MW16BCGB-708 WT TR

MT45W4MW16BCGB-708 WT TR

ნაწილი საფონდო: 6181

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: PSRAM, ტექნოლოგია: PSRAM (Pseudo SRAM), მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT46V16M8P-6TL:DTR

MT46V16M8P-6TL:DTR

ნაწილი საფონდო: 8963

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC32M8A2FB-7E:D TR

MT48LC32M8A2FB-7E:D TR

ნაწილი საფონდო: 1415

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 14ns,

სასურველი
MT53D1024M32D4DT-053 WT:D

MT53D1024M32D4DT-053 WT:D

ნაწილი საფონდო: 51

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (1G x 32), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT29F4G16BABWP TR

MT29F4G16BABWP TR

ნაწილი საფონდო: 6096

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16),

სასურველი
MT46V64M8P-6T L:F TR

MT46V64M8P-6T L:F TR

ნაწილი საფონდო: 8229

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V128M8P-75:A

MT46V128M8P-75:A

ნაწილი საფონდო: 6763

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT28HL32GQBB3ERK-0GCT

MT28HL32GQBB3ERK-0GCT

ნაწილი საფონდო: 1027

სასურველი
TE28F320C3TD70A

TE28F320C3TD70A

ნაწილი საფონდო: 4785

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - Boot Block, მეხსიერების ზომა: 32Mb (2M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT46V64M8P-6T L:F

MT46V64M8P-6T L:F

ნაწილი საფონდო: 8193

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR

MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR

ნაწილი საფონდო: 101

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
M28W320CB90N6

M28W320CB90N6

ნაწილი საფონდო: 8760

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (2M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 90ns,

სასურველი
MT46V64M16P-6T:A

MT46V64M16P-6T:A

ნაწილი საფონდო: 7932

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V32M16TG-6T IT:F

MT46V32M16TG-6T IT:F

ნაწილი საფონდო: 7525

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT53E512M64D4NW-053 WT:E

MT53E512M64D4NW-053 WT:E

ნაწილი საფონდო: 42

სასურველი
MT46H8M16LFCF-10 IT TR

MT46H8M16LFCF-10 IT TR

ნაწილი საფონდო: 6446

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC2M32B2P-6:G TR

MT48LC2M32B2P-6:G TR

ნაწილი საფონდო: 1201

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 64Mb (2M x 32), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
MTFC64GAJAEDQ-AIT TR

MTFC64GAJAEDQ-AIT TR

ნაწილი საფონდო: 40

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8),

სასურველი
MT48LC4M16A2P-7E:G TR

MT48LC4M16A2P-7E:G TR

ნაწილი საფონდო: 1547

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 14ns,

სასურველი
MT46V16M16P-5B:F TR

MT46V16M16P-5B:F TR

ნაწილი საფონდო: 9247

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT45W4MW16BBB-708 WT TR

MT45W4MW16BBB-708 WT TR

ნაწილი საფონდო: 167

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: PSRAM, ტექნოლოგია: PSRAM (Pseudo SRAM), მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT45W4MW16BCGB-701 WT

MT45W4MW16BCGB-701 WT

ნაწილი საფონდო: 6291

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: PSRAM, ტექნოლოგია: PSRAM (Pseudo SRAM), მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT47H64M8CB-25:B

MT47H64M8CB-25:B

ნაწილი საფონდო: 8591

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V32M8BG-5B:GTR

MT46V32M8BG-5B:GTR

ნაწილი საფონდო: 8985

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V32M8TG-6T IT:G TR

MT46V32M8TG-6T IT:G TR

ნაწილი საფონდო: 298

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
JS28F256P30B95A

JS28F256P30B95A

ნაწილი საფონდო: 9541

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 40MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 95ns,

სასურველი
MT48LC16M8A2TG-75 IT:G TR

MT48LC16M8A2TG-75 IT:G TR

ნაწილი საფონდო: 1175

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC4M16A2TG-7E:G TR

MT48LC4M16A2TG-7E:G TR

ნაწილი საფონდო: 1578

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 14ns,

სასურველი
MT48LC32M8A2TG-75:D TR

MT48LC32M8A2TG-75:D TR

ნაწილი საფონდო: 1476

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
M29W320ET70N6E

M29W320ET70N6E

ნაწილი საფონდო: 37481

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT48LC4M32B2P-6:G TR

MT48LC4M32B2P-6:G TR

ნაწილი საფონდო: 9474

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (4M x 32), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A

MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A

ნაწილი საფონდო: 59

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Tb (256G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT29F2G08AABWP TR

MT29F2G08AABWP TR

ნაწილი საფონდო: 5950

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8),

სასურველი
NAND512W4A0AN6E

NAND512W4A0AN6E

ნაწილი საფონდო: 7717

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 50ns,

სასურველი