მეხსიერება

MT29F64G08ABEBBM84C3WC1

MT29F64G08ABEBBM84C3WC1

ნაწილი საფონდო: 8030

სასურველი
MT53B1DATG-DC

MT53B1DATG-DC

ნაწილი საფონდო: 5784

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
MT29VZZZ7D7HQKWL-062 W ES.G7A

MT29VZZZ7D7HQKWL-062 W ES.G7A

ნაწილი საფონდო: 1180

სასურველი
MT53D4DBSB-DC

MT53D4DBSB-DC

ნაწილი საფონდო: 6396

სასურველი
MT53D4DHSB-DC TR

MT53D4DHSB-DC TR

ნაწილი საფონდო: 9457

სასურველი
MT53D1G64D8NW-062 WT ES:D

MT53D1G64D8NW-062 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 2113

სასურველი
ECB130ABDCN-Y3

ECB130ABDCN-Y3

ნაწილი საფონდო: 7744

სასურველი
MTFC128GAPALNS-AIT ES TR

MTFC128GAPALNS-AIT ES TR

ნაწილი საფონდო: 87

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8),

სასურველი
MT29F128G08CBCEBL05B3WC1ES

MT29F128G08CBCEBL05B3WC1ES

ნაწილი საფონდო: 7939

სასურველი
MT53E128M32D2DS-053 AAT:A

MT53E128M32D2DS-053 AAT:A

ნაწილი საფონდო: 7157

სასურველი
MT25QL128ABB8ESF-0AUT

MT25QL128ABB8ESF-0AUT

ნაწილი საფონდო: 5182

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT53D768M64D4SQ-053 WT ES:A

MT53D768M64D4SQ-053 WT ES:A

ნაწილი საფონდო: 6935

სასურველი
MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D TR

MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 4017

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT53D2DADS-DC

MT53D2DADS-DC

ნაწილი საფონდო: 6101

სასურველი
MT53B512M16D1Z11MWC1

MT53B512M16D1Z11MWC1

ნაწილი საფონდო: 8316

სასურველი
MT29F128G08EBHDBB05A3WC1ES

MT29F128G08EBHDBB05A3WC1ES

ნაწილი საფონდო: 7988

სასურველი
MT29VZZZAD8HQKWL-053 W.G8C

MT29VZZZAD8HQKWL-053 W.G8C

ნაწილი საფონდო: 5504

სასურველი
MT53D1G32D4NQ-053 WT ES:E

MT53D1G32D4NQ-053 WT ES:E

ნაწილი საფონდო: 5969

სასურველი
MT25QU128ABA8E12-0SIT

MT25QU128ABA8E12-0SIT

ნაწილი საფონდო: 945

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT28EW512ABA1HPN-0SIT

MT28EW512ABA1HPN-0SIT

ნაწილი საფონდო: 4150

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
MT35XU02GCBA2G12-0AUT TR

MT35XU02GCBA2G12-0AUT TR

ნაწილი საფონდო: 8842

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz,

სასურველი
MT28FW02GBBA1HPC-0AAT

MT28FW02GBBA1HPC-0AAT

ნაწილი საფონდო: 3116

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Gb (128M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
MT29F64G08CBABBWPR:B

MT29F64G08CBABBWPR:B

ნაწილი საფონდო: 4327

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8),

სასურველი
MT52L1DAPF-DC

MT52L1DAPF-DC

ნაწილი საფონდო: 5684

სასურველი
MT47H256M8EB-25E AIT:C

MT47H256M8EB-25E AIT:C

ნაწილი საფონდო: 3304

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B

MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B

ნაწილი საფონდო: 5882

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (768M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT53D384M64D4FL-046 XT:E

MT53D384M64D4FL-046 XT:E

ნაწილი საფონდო: 6146

სასურველი
MTFC128GAJAECE-IT TR

MTFC128GAJAECE-IT TR

ნაწილი საფონდო: 2878

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8),

სასურველი
MT53D768M64D8SQ-046 WT ES:E

MT53D768M64D8SQ-046 WT ES:E

ნაწილი საფონდო: 6940

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 48Gb (768M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MTFC128GAJAECE-5M AIT TR

MTFC128GAJAECE-5M AIT TR

ნაწილი საფონდო: 2943

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8),

სასურველი
MT61K256M32JE-13:A TR

MT61K256M32JE-13:A TR

ნაწილი საფონდო: 9998

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: RAM, ტექნოლოგია: SGRAM - GDDR6, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1.625GHz,

სასურველი
MT53D768M64D8WF-053 WT ES:D TR

MT53D768M64D8WF-053 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 9729

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 48Gb (768M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT35XL01GBBA2G12-0AAT

MT35XL01GBBA2G12-0AAT

ნაწილი საფონდო: 3127

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
MT52L8DBQC-DC

MT52L8DBQC-DC

ნაწილი საფონდო: 8236

სასურველი
MT53D768M64D4SQ-046 WT ES:A

MT53D768M64D4SQ-046 WT ES:A

ნაწილი საფონდო: 6852

სასურველი
MT25TL512HBA8E12-0AAT

MT25TL512HBA8E12-0AAT

ნაწილი საფონდო: 1114

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი