მეხსიერება

MT29C1G12MAAJVAMD-5 IT

MT29C1G12MAAJVAMD-5 IT

ნაწილი საფონდო: 1049

სასურველი
MT53D1G64D8NW-062 WT ES:D TR

MT53D1G64D8NW-062 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 3329

სასურველი
MT49H32M9SJ-25:B

MT49H32M9SJ-25:B

ნაწილი საფონდო: 3253

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 288Mb (32M x 9), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MTFC16GAKAEEF-AIT TR

MTFC16GAKAEEF-AIT TR

ნაწილი საფონდო: 4301

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი
MT53D8DBWF-DC

MT53D8DBWF-DC

ნაწილი საფონდო: 2337

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
MT29F1G01ABAFDM78A3WC1

MT29F1G01ABAFDM78A3WC1

ნაწილი საფონდო: 4274

სასურველი
MT35XU512ABA1G12-0AAT TR

MT35XU512ABA1G12-0AAT TR

ნაწილი საფონდო: 3693

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz,

სასურველი
MT29F128G08CECGBJ4-37R:G TR

MT29F128G08CECGBJ4-37R:G TR

ნაწილი საფონდო: 839

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი
MT25QU02GCBB8E12-0SIT

MT25QU02GCBB8E12-0SIT

ნაწილი საფონდო: 1136

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MTFC32GAPALNA-AIT ES TR

MTFC32GAPALNA-AIT ES TR

ნაწილი საფონდო: 417

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8),

სასურველი
MT53D1G64D8NW-062 WT:D TR

MT53D1G64D8NW-062 WT:D TR

ნაწილი საფონდო: 2807

სასურველი
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E

MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E

ნაწილი საფონდო: 6014

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 64Gb (1G x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT49H8M36SJ-25:B TR

MT49H8M36SJ-25:B TR

ნაწილი საფონდო: 3271

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 288Mb (8M x 36), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A

MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A

ნაწილი საფონდო: 5297

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR

MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 2669

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 12Gb (384M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT35XU256ABA2G12-0AAT

MT35XU256ABA2G12-0AAT

ნაწილი საფონდო: 1309

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz,

სასურველი
MT53D1024M32D4BD-053 WT ES:D

MT53D1024M32D4BD-053 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 5995

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (1G x 32), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MTFC8GAMALNA-AIT TR

MTFC8GAMALNA-AIT TR

ნაწილი საფონდო: 2995

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8),

სასურველი
MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D

MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D

ნაწილი საფონდო: 2246

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT53B2G32D8QD-062 WT ES:D

MT53B2G32D8QD-062 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 1546

სასურველი
MT53B256M32D1Z91MWC1

MT53B256M32D1Z91MWC1

ნაწილი საფონდო: 8232

სასურველი
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C

MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C

ნაწილი საფონდო: 1848

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT29F256G08EBHAFB16A3WTA

MT29F256G08EBHAFB16A3WTA

ნაწილი საფონდო: 8035

სასურველი
MTFC32GAKAEJP-AIT TR

MTFC32GAKAEJP-AIT TR

ნაწილი საფონდო: 2945

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8),

სასურველი
MTFC32GAMAKAM-WT ES

MTFC32GAMAKAM-WT ES

ნაწილი საფონდო: 2467

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8),

სასურველი
MTFC32GAKAEJP-AIT

MTFC32GAKAEJP-AIT

ნაწილი საფონდო: 2491

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8),

სასურველი
MT53D2G32D8QD-046 WT ES:E

MT53D2G32D8QD-046 WT ES:E

ნაწილი საფონდო: 6089

სასურველი
MTFC64GAPALNA-AAT

MTFC64GAPALNA-AAT

ნაწილი საფონდო: 3772

სასურველი
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E

MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E

ნაწილი საფონდო: 6741

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MTFC16GAKAEDQ-AIT TR

MTFC16GAKAEDQ-AIT TR

ნაწილი საფონდო: 38

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი
ECF620AAACN-C1-Y3

ECF620AAACN-C1-Y3

ნაწილი საფონდო: 7859

სასურველი
MT28EW512ABA1HPC-1SIT TR

MT28EW512ABA1HPC-1SIT TR

ნაწილი საფონდო: 4825

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
MT53B4DCNY-DC

MT53B4DCNY-DC

ნაწილი საფონდო: 5894

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
ECF440AACCN-P2-Y3

ECF440AACCN-P2-Y3

ნაწილი საფონდო: 4092

სასურველი
MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F

MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F

ნაწილი საფონდო: 5421

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8),

სასურველი
MT53D4D1ASQ-DC

MT53D4D1ASQ-DC

ნაწილი საფონდო: 6247

სასურველი