მეხსიერება

MT53D4DACB-DC

MT53D4DACB-DC

ნაწილი საფონდო: 2217

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
MTFC16GAPALBH-AAT ES TR

MTFC16GAPALBH-AAT ES TR

ნაწილი საფონდო: 131

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი
MTFC16GAKAEEF-O1 AIT TR

MTFC16GAKAEEF-O1 AIT TR

ნაწილი საფონდო: 66

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი
MTFC64GAJAECE-5M AIT TR

MTFC64GAJAECE-5M AIT TR

ნაწილი საფონდო: 3037

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8),

სასურველი
MT53D4DADT-DC TR

MT53D4DADT-DC TR

ნაწილი საფონდო: 9269

სასურველი
MT53D4DARN-DC

MT53D4DARN-DC

ნაწილი საფონდო: 6400

სასურველი
MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D TR

MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 3269

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (1G x 32), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT25TL256BBA8ESF-0AAT

MT25TL256BBA8ESF-0AAT

ნაწილი საფონდო: 1310

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT53D4DBKA-DC

MT53D4DBKA-DC

ნაწილი საფონდო: 6424

სასურველი
MT53D384M16D1NY-046 XT ES:D

MT53D384M16D1NY-046 XT ES:D

ნაწილი საფონდო: 2182

სასურველი
MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR

MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 3408

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT53D2G32D8QD-062 WT ES:D TR

MT53D2G32D8QD-062 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 3334

სასურველი
MTFC64GAPALNA-AIT

MTFC64GAPALNA-AIT

ნაწილი საფონდო: 7764

სასურველი
MT35XL512ABA2G12-0AAT TR

MT35XL512ABA2G12-0AAT TR

ნაწილი საფონდო: 3528

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
MT35XU02GCBA1G12-0AUT TR

MT35XU02GCBA1G12-0AUT TR

ნაწილი საფონდო: 8855

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz,

სასურველი
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C

MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C

ნაწილი საფონდო: 1547

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT53D1024M32D4DT-046 AUT:D TR

MT53D1024M32D4DT-046 AUT:D TR

ნაწილი საფონდო: 3189

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (1G x 32), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT35XU01GBBA2G12-0AAT TR

MT35XU01GBBA2G12-0AAT TR

ნაწილი საფონდო: 3399

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz,

სასურველი
MT29F2G01ABBGDM79A3WC1

MT29F2G01ABBGDM79A3WC1

ნაწილი საფონდო: 8062

სასურველი
MT25QL128ABB8E12-0AUT

MT25QL128ABB8E12-0AUT

ნაწილი საფონდო: 5190

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT53B128M32D1Z00NEC2

MT53B128M32D1Z00NEC2

ნაწილი საფონდო: 8171

სასურველი
MT53D8D1ASQ-DC TR

MT53D8D1ASQ-DC TR

ნაწილი საფონდო: 9753

სასურველი
MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D TR

MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 3327

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (1G x 32), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT25QL256ABA1EW7-0SIT

MT25QL256ABA1EW7-0SIT

ნაწილი საფონდო: 1231

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT53D4DDFL-DC

MT53D4DDFL-DC

ნაწილი საფონდო: 6467

სასურველი
MT53D2G32D8QD-062 WT ES:D

MT53D2G32D8QD-062 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 9394

სასურველი
ECF620AAACN-C2-Y3-ES

ECF620AAACN-C2-Y3-ES

ნაწილი საფონდო: 7889

სასურველი
MT25QL256ABA8E14-1SIT TR

MT25QL256ABA8E14-1SIT TR

ნაწილი საფონდო: 676

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT53D1G32D4NQ-062 WT ES:D

MT53D1G32D4NQ-062 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 2061

სასურველი
N25Q512A83G12H0F

N25Q512A83G12H0F

ნაწილი საფონდო: 2617

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (128M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D

MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 2341

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D

MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 2026

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 64Gb (1G x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT25TL01GBBB8E12-0AAT

MT25TL01GBBB8E12-0AAT

ნაწილი საფონდო: 1128

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C

MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C

ნაწილი საფონდო: 1835

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT41K256M16V00HWC1-N001

MT41K256M16V00HWC1-N001

ნაწილი საფონდო: 8088

სასურველი
MTFC128GAPALNS-AIT ES

MTFC128GAPALNS-AIT ES

ნაწილი საფონდო: 7389

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8),

სასურველი