მეხსიერება

MT25QL256ABA8ESF-MSIT TR

MT25QL256ABA8ESF-MSIT TR

ნაწილი საფონდო: 743

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MTFC128GAPALNS-AAT ES TR

MTFC128GAPALNS-AAT ES TR

ნაწილი საფონდო: 4091

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8),

სასურველი
MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR

MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR

ნაწილი საფონდო: 8615

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8),

სასურველი
MT53B512M32D2NP-062 WT ES:C

MT53B512M32D2NP-062 WT ES:C

ნაწილი საფონდო: 1748

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT29F32G08ABEDBJ4-12:D TR

MT29F32G08ABEDBJ4-12:D TR

ნაწილი საფონდო: 904

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 32Gb (4G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
MT53D384M64D4SB-046 XT ES:D TR

MT53D384M64D4SB-046 XT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 9268

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D

MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 5736

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 6Gb (1.5G x 32), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D TR

MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 2850

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT53D4DCFL-DC

MT53D4DCFL-DC

ნაწილი საფონდო: 6437

სასურველი
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C

MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C

ნაწილი საფონდო: 1477

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT40A512M16JY-083E AUT:B

MT40A512M16JY-083E AUT:B

ნაწილი საფონდო: 126

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (512M x 16), საათის სიხშირე: 1.2GHz,

სასურველი
MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR

MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 3469

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MTFC128GAPALNA-AIT ES

MTFC128GAPALNA-AIT ES

ნაწილი საფონდო: 7448

სასურველი
MT25QL256ABA8ESF-0AAT

MT25QL256ABA8ESF-0AAT

ნაწილი საფონდო: 1260

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT52L4DBPG-DC

MT52L4DBPG-DC

ნაწილი საფონდო: 1420

სასურველი
MT52L256M32D1V01MWC2

MT52L256M32D1V01MWC2

ნაწილი საფონდო: 114

სასურველი
MT53D8DANW-DC TR

MT53D8DANW-DC TR

ნაწილი საფონდო: 9859

სასურველი
MT53D4DDFL-DC TR

MT53D4DDFL-DC TR

ნაწილი საფონდო: 9419

სასურველი
MT29F4G01ABAFDWB-IT:F

MT29F4G01ABAFDWB-IT:F

ნაწილი საფონდო: 5297

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (4G x 1),

სასურველი
MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E TR

MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E TR

ნაწილი საფონდო: 3965

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A

MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A

ნაწილი საფონდო: 6864

სასურველი
MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D

MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 5876

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 48Gb (768M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT

MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT

ნაწილი საფონდო: 5160

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT53D4DADT-DC

MT53D4DADT-DC

ნაწილი საფონდო: 6368

სასურველი
MTFC128GAJAECE-IT

MTFC128GAJAECE-IT

ნაწილი საფონდო: 3266

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8),

სასურველი
MT53D768M64D4SQ-053 WT:A

MT53D768M64D4SQ-053 WT:A

ნაწილი საფონდო: 6877

სასურველი
MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR

MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 3977

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B TR

MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 3279

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E TR

MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E TR

ნაწილი საფონდო: 8535

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 267MHz,

სასურველი
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B

MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B

ნაწილი საფონდო: 5833

სასურველი
MTFC8GLWDQ-3L AAT Z

MTFC8GLWDQ-3L AAT Z

ნაწილი საფონდო: 1183

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8),

სასურველი
MT53D1024M32D4NQ-046 AIT ES:D TR

MT53D1024M32D4NQ-046 AIT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 3190

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (1G x 32), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MTFC256GBAOANAM-WT ES TR

MTFC256GBAOANAM-WT ES TR

ნაწილი საფონდო: 235

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Tb (256G x 8),

სასურველი
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B

MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B

ნაწილი საფონდო: 1661

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT53B2DDNP-DC

MT53B2DDNP-DC

ნაწილი საფონდო: 1590

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
MTFC32GAOALEA-WT ES TR

MTFC32GAOALEA-WT ES TR

ნაწილი საფონდო: 290

სასურველი