მეხსიერება

MT53B1G32D4NQ-062 WT:D

MT53B1G32D4NQ-062 WT:D

ნაწილი საფონდო: 1458

სასურველი
MT41K1G8RKB-107:N

MT41K1G8RKB-107:N

ნაწილი საფონდო: 88

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 8Gb (1G x 8), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT41J128M16JT-093 J:K

MT41J128M16JT-093 J:K

ნაწილი საფონდო: 4558

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3, მეხსიერების ზომა: 2Gb (128M x 16), საათის სიხშირე: 1066MHz,

სასურველი
MT29F128G08AEEBBH6-12:B TR

MT29F128G08AEEBBH6-12:B TR

ნაწილი საფონდო: 922

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
MT53D6DABE-DC

MT53D6DABE-DC

ნაწილი საფონდო: 6785

სასურველი
MTFC256GAOAMAM-WT ES

MTFC256GAOAMAM-WT ES

ნაწილი საფონდო: 7553

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Tb (256G x 8),

სასურველი
MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D

MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D

ნაწილი საფონდო: 2262

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT49H16M18SJ-25:B TR

MT49H16M18SJ-25:B TR

ნაწილი საფონდო: 3231

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 288Mb (16M x 18), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MT53B4DBDT-DC

MT53B4DBDT-DC

ნაწილი საფონდო: 3605

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1

MT29F256G08EBHAFB16A3WC1

ნაწილი საფონდო: 7977

სასურველი
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR

MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 3384

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT53D4DANW-DC

MT53D4DANW-DC

ნაწილი საფონდო: 6394

სასურველი
MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B

MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B

ნაწილი საფონდო: 3616

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT47H64M16U88BWC1

MT47H64M16U88BWC1

ნაწილი საფონდო: 8159

სასურველი
MT25QL02GCBB8E12-0SIT

MT25QL02GCBB8E12-0SIT

ნაწილი საფონდო: 58

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT29TZZZ5D7DKFRL-107 W.9A7 TR

MT29TZZZ5D7DKFRL-107 W.9A7 TR

ნაწილი საფონდო: 3886

სასურველი
MT29GZ5A5BPGGA-53ITES.87J TR

MT29GZ5A5BPGGA-53ITES.87J TR

ნაწილი საფონდო: 3089

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, RAM, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT

MT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT

ნაწილი საფონდო: 1159

სასურველი
MTFC32GAPALBH-AIT ES

MTFC32GAPALBH-AIT ES

ნაწილი საფონდო: 7570

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8),

სასურველი
MT29F8G08ADAFAWP-AITES:F

MT29F8G08ADAFAWP-AITES:F

ნაწილი საფონდო: 5460

სასურველი
MT29TZZZAD8DKKBT-107 W ES.9F8

MT29TZZZAD8DKKBT-107 W ES.9F8

ნაწილი საფონდო: 5534

სასურველი
MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR

MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 3388

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT53D1G32D4BD-053 WT ES:D

MT53D1G32D4BD-053 WT ES:D

ნაწილი საფონდო: 1991

სასურველი
MT29VZZZ7D7HQKWL-062 W ES.G7A TR

MT29VZZZ7D7HQKWL-062 W ES.G7A TR

ნაწილი საფონდო: 2677

სასურველი
MTFC16GAPALNA-AAT TR

MTFC16GAPALNA-AAT TR

ნაწილი საფონდო: 196

სასურველი
MT35XL256ABA1G12-0AAT TR

MT35XL256ABA1G12-0AAT TR

ნაწილი საფონდო: 3348

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
MT53D1G64D8NW-053 WT ES:E TR

MT53D1G64D8NW-053 WT ES:E TR

ნაწილი საფონდო: 9115

სასურველი
MT53D8DBNZ-DC

MT53D8DBNZ-DC

ნაწილი საფონდო: 3720

სასურველი
MT53D4DANW-DC TR

MT53D4DANW-DC TR

ნაწილი საფონდო: 9265

სასურველი
MT29F256G08EBHAFB16A3WSA

MT29F256G08EBHAFB16A3WSA

ნაწილი საფონდო: 8012

სასურველი
MT53D2048M32D8QD-062 WT ES:D TR

MT53D2048M32D8QD-062 WT ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 3261

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 64Gb (2G x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT53D4D1ARQ-DC TR

MT53D4D1ARQ-DC TR

ნაწილი საფონდო: 9292

სასურველი
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B

MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B

ნაწილი საფონდო: 1576

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 12Gb (384M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT53E1G64D8NW-053 WT:E TR

MT53E1G64D8NW-053 WT:E TR

ნაწილი საფონდო: 9928

სასურველი
MT29F32G08ABCABH1-10Z:A TR

MT29F32G08ABCABH1-10Z:A TR

ნაწილი საფონდო: 2748

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 32Gb (4G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MT53B2DANW-DC

MT53B2DANW-DC

ნაწილი საფონდო: 1580

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი