ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

NTHD4502NT1G

ნაწილი საფონდო: 147583

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.2A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5C466NLWFT1G

ნაწილი საფონდო: 251

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 52A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 30µA,

FDS4953

ნაწილი საფონდო: 2994

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5489NLT1G

ნაწილი საფონდო: 91710

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NDS8936

ნაწილი საფონდო: 3130

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.8V @ 250µA,

FDMC8030

ნაწილი საფონდო: 182984

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.8V @ 250µA,

SQJ500EP

ნაწილი საფონდო: 2995

FDMB2308PZ

ნაწილი საფონდო: 98641

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDMA2002NZ_F130

ნაწილი საფონდო: 3353

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

EMH2418R-TL-H

ნაწილი საფონდო: 147303

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, 2.5V Drive, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 24V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.3V @ 1mA,

GMM3X100-01X1-SMD

ნაწილი საფონდო: 3671

FET ტიპი: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 90A, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4.5V @ 1mA,

CSD87351ZQ5D

ნაწილი საფონდო: 82239

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 32A, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.1V @ 250µA,

CSD87334Q3DT

ნაწილი საფონდო: 56420

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 12A, 8V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.2V @ 250µA,

CSD88537NDT

ნაწილი საფონდო: 78894

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 15A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.6V @ 250µA,

GWS9293

ნაწილი საფონდო: 3370

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9.4A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 1mA,

DMPH6050SPD-13

ნაწილი საფონდო: 156193

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

DMC3025LSDQ-13

ნაწილი საფონდო: 10850

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), 4.2A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.4A, 10V, 45 mOhm @ 5.2A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 250µA,

DMC2400UV-13

ნაწილი საფონდო: 156715

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.03A, 700mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 900mV @ 250µA,

DMN3016LDN-13

ნაწილი საფონდო: 103259

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 250µA,

DMTH4011SPD-13

ნაწილი საფონდო: 10768

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 11.1A (Ta), 42A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4V @ 250µA,

DMN3012LFG-13

ნაწილი საფონდო: 283

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 5V, 6 mOhm @ 15A, 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA,

DMNH6022SSDQ-13

ნაწილი საფონდო: 158541

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.1A, 22.6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

DMN66D0LDW-7

ნაწილი საფონდო: 193621

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 115mA, 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 250µA,

SI1034X-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 127515

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 180mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.2V @ 250µA,

SI3981DV-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 3003

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1.9A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.1V @ 250µA,

SQJ910AEP-T1_GE3

ნაწილი საფონდო: 9943

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI7501DN-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 3365

FET ტიპი: N and P-Channel, Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.4A, 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 7.7A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

SIZ980DT-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 16202

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), 60A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 15A, 10V, 1.6 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

SI4909DY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 158525

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI4925BDY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 89747

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

SI8902EDB-T2-E1

ნაწილი საფონდო: 86559

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.9A, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 980µA,

CMLDM7003TG TR

ნაწილი საფონდო: 182584

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 50V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 280mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRFI4020H-117P

ნაწილი საფონდო: 21018

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9.1A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4.9V @ 100µA,

NX7002AKS/ZLX

ნაწილი საფონდო: 2966

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.1V @ 250µA,

PHKD3NQ10T,518

ნაწილი საფონდო: 123444

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4V @ 1mA,

SLA5085

ნაწილი საფონდო: 13470

FET ტიპი: 5 N-Channel, Common Source, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 3A, 4V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 250µA,