ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

FDMS3660S

ნაწილი საფონდო: 144159

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 13A, 30A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.7V @ 250µA,

FDMD8440L

ნაწილი საფონდო: 9941

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 87A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMS3686S

ნაწილი საფონდო: 98643

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 13A, 23A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.7V @ 250µA,

SQJ500EPTR

ნაწილი საფონდო: 2970

VEC2616-TL-H-Z-W

ნაწილი საფონდო: 9922

NTMFD4902NFT3G

ნაწილი საფონდო: 98047

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10.3A, 13.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

SSD2007ATF

ნაწილი საფონდო: 2977

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 50V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4V @ 250µA,

MMDF2P02HDR2G

ნაწილი საფონდო: 2922

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 250µA,

FDS3992

ნაწილი საფონდო: 87571

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4V @ 250µA,

DMP2100UFU-7

ნაწილი საფონდო: 117570

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.4V @ 250µA,

DMN3035LWN-13

ნაწილი საფონდო: 145981

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 250µA,

ZXMP3A17DN8TA

ნაწილი საფონდო: 244

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.2A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

DMC1015UPD-13

ნაწილი საფონდო: 169319

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9.5A, 6.9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ZXMN6A11DN8TA

ნაწილი საფონდო: 147954

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

DMN2013UFX-7

ნაწილი საფონდო: 253

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.1V @ 250µA,

DMN5010VAK-7

ნაწილი საფონდო: 199988

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 50V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 280mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

DMT3011LDT-7

ნაწილი საფონდო: 180855

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A, 10.7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

DMN33D8LDW-13

ნაწილი საფონდო: 118190

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 250mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 100µA,

DMN2010UDZ-7

ნაწილი საფონდო: 191315

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 24V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 11A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

TSM500P02DCQ RFG

ნაწილი საფონდო: 277

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.7A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 800mV @ 250µA,

SI4818DY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 2959

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.3A, 7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 800mV @ 250µA (Min),

SQ4937EY-T1_GE3

ნაწილი საფონდო: 10827

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI4931DY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 180805

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.9A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 350µA,

SI7964DP-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 3339

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.1A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 9.6A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4.5V @ 250µA,

SI7220DN-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 86597

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.4A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

SI7905DN-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 73616

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

SQJ912AEP-T1_GE3

ნაწილი საფონდო: 141553

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 30A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI3585CDV-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 112724

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.9A, 2.1A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

STL40C30H3LL

ნაწილი საფონდო: 125159

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 40A, 30A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

STL50DN6F7

ნაწილი საფონდო: 167699

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 57A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4V @ 250µA,

GMM3X120-0075X2-SMDSAM

ნაწილი საფონდო: 3120

FET ტიპი: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 75V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 110A, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4V @ 1mA,

VBH40-05B

ნაწილი საფონდო: 905

FET ტიპი: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 40A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 116 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4V @ 8mA,

EPC2102ENGRT

ნაწილი საფონდო: 14073

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 23A (Tj), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 7mA,

PMDPB42UN,115

ნაწილი საფონდო: 2988

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7901D1TRPBF

ნაწილი საფონდო: 2974

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.2A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

CMLDM8005 TR

ნაწილი საფონდო: 138392

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 650mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 350mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,