ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

FDS9933A

ნაწილი საფონდო: 190178

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

FDC6506P

ნაწილი საფონდო: 194858

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

NVMFD5483NLT1G

ნაწილი საფონდო: 65498

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.4A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

FDC6305N

ნაწილი საფონდო: 129016

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

NTUD3129PT5G

ნაწილი საფონდო: 2940

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 140mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სურვილისამებრ

NVMFD5875NLT1G

ნაწილი საფონდო: 155747

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

FDMS3668S

ნაწილი საფონდო: 82251

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 13A, 18A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.7V @ 250µA,

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

NVMFD5C470NLWFT1G

ნაწილი საფონდო: 277

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 36A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 20µA,

სურვილისამებრ

Infineon Technologies

FF11MR12W1M1B11BOMA1

ნაწილი საფონდო: 3093

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Silicon Carbide (SiC), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 1200V (1.2kV), მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 100A, 15V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 5.55V @ 40mA,

სურვილისამებრ

Infineon Technologies

IRF6723M2DTR1P

ნაწილი საფონდო: 3004

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 15A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.35V @ 25µA,

სურვილისამებრ

TSM6968SDCA RVG

ნაწილი საფონდო: 9997

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სურვილისამებრ

DMN2016LHAB-7

ნაწილი საფონდო: 190312

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.1V @ 250µA,

სურვილისამებრ

DMG1016VQ-13

ნაწილი საფონდო: 163191

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 870mA, 640mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სურვილისამებრ

DMC1030UFDB-13

ნაწილი საფონდო: 115059

FET ტიპი: N and P-Channel Complementary, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სურვილისამებრ

DMN2029USD-13

ნაწილი საფონდო: 136935

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

ZXMHC6A07T8TA

ნაწილი საფონდო: 83548

FET ტიპი: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.6A, 1.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SH8M41TB1

ნაწილი საფონდო: 127833

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 80V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.4A, 2.6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სურვილისამებრ

QH8KA4TCR

ნაწილი საფონდო: 78816

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 1mA,

სურვილისამებრ

TT8J21TR

ნაწილი საფონდო: 169061

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1mA,

სურვილისამებრ

SH8J66TB1

ნაწილი საფონდო: 75609

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სურვილისამებრ

SI3590DV-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 199636

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.5A, 1.7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI7998DP-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 103462

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 25A, 30A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SIA915DJ-T4-GE3

ნაწილი საფონდო: 2966

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Ta), 4.5A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 87 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SIZ322DT-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 266

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6.35 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.4V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI5944DU-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 2992

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ