ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | N and P-Channel |
FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 20V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 870mA, 640mA |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 600mA, 4.5V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 0.74nC @ 4.5V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 60.67pF @ 16V |
სიმძლავრე - მაქს | 530mW |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | SOT-563, SOT-666 |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | SOT-563 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |