ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

VEC2616-TL-W-Z

ნაწილი საფონდო: 199667

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, 4V Drive, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3A, 2.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.6V @ 1mA,

NTHD3100CT3G

ნაწილი საფონდო: 2772

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.9A, 3.2A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NTZD3156CT2G

ნაწილი საფონდო: 2761

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 540mA, 430mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

FDW2507N

ნაწილი საფონდო: 2689

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW2501N

ნაწილი საფონდო: 2746

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW2508PB

ნაწილი საფონდო: 2726

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDZ2554PZ

ნაწილი საფონდო: 2723

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NDS8858H

ნაწილი საფონდო: 2706

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.3A, 4.8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.8V @ 250µA,

NTZD3156CT5G

ნაწილი საფონდო: 2782

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 540mA, 430mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

NVMFD5875NLWFT3G

ნაწილი საფონდო: 166888

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMS3604AS

ნაწილი საფონდო: 3375

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 13A, 23A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.7V @ 250µA,

NTJD2152PT2G

ნაწილი საფონდო: 2773

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 8V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 775mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

EFC6602R-A-TR

ნაწილი საფონდო: 185435

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDS3912

ნაწილი საფონდო: 2754

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4V @ 250µA,

EFC6617R-A-TF

ნაწილი საფონდო: 135371

NTHD4401PT1G

ნაწილი საფონდო: 2836

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.1A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.2V @ 250µA,

SI4972DY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 2881

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10.8A, 7.2A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

VQ1001P-E3

ნაწილი საფონდო: 2920

FET ტიპი: 4 N-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 830mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.75 Ohm @ 200mA, 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

SI7958DP-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 2819

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.2A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 11.3A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

SI6933DQ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 2892

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

SI4973DY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 2865

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

SI7983DP-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 2899

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 12A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 600µA,

SI1563EDH-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 2699

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.13A, 880mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 100µA,

SI1539DL-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 2765

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 540mA, 420mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.6V @ 250µA,

SI7844DP-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 2794

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.4A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.4V @ 250µA,

SI4567DY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 2783

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5A, 4.4A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

SI5906DU-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 2915

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

IRF7379TR

ნაწილი საფონდო: 2676

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.8A, 4.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF8910GTRPBF

ნაწილი საფონდო: 2869

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.55V @ 250µA,

IRFHM792TR2PBF

ნაწილი საფონდო: 2894

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4V @ 10µA,

IRF7103PBF

ნაწილი საფონდო: 97659

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 50V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

HAT2092R-EL-E

ნაწილი საფონდო: 2741

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 11A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

TPC8211(TE12L,Q,M)

ნაწილი საფონდო: 2801

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

TPC8213-H(TE12LQ,M

ნაწილი საფონდო: 2813

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.3V @ 1mA,

DMC6070LFDH-7

ნაწილი საფონდო: 2890

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.1A, 2.4A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

UP04979G0L

ნაწილი საფონდო: 2769

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 50V, 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 1µA,