ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

IRF5850TRPBF

ნაწილი საფონდო: 2861

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.2A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRF7752TR

ნაწილი საფონდო: 2727

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 250µA,

IRF7910PBF

ნაწილი საფონდო: 2677

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 250µA,

NDS9955

ნაწილი საფონდო: 2650

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 50V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD4401NT4

ნაწილი საფონდო: 3343

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 630mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW2521C

ნაწილი საფონდო: 2698

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.5A, 3.8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDQ7698S

ნაწილი საფონდო: 2709

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12A, 15A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

ECH8653-TL-H

ნაწილი საფონდო: 2909

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 8V,

EFC6611R-A-TF

ნაწილი საფონდო: 143033

HUFA76407DK8T

ნაწილი საფონდო: 2694

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

ECH8697R-TL-W

ნაწილი საფონდო: 174631

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, 2.5V Drive, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 24V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 5A, 4.5V,

ECH8651R-TL-H

ნაწილი საფონდო: 196025

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 24V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 5A, 4.5V,

FDS4895C

ნაწილი საფონდო: 2830

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.5A, 4.4A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 5V @ 250µA,

ECH8651R-TL-HX

ნაწილი საფონდო: 2884

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 24V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 5A, 4.5V,

NTLJD3181PZTBG

ნაწილი საფონდო: 2812

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.2A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

NTMD6N02R2

ნაწილი საფონდო: 2688

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.92A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDMJ1028N

ნაწილი საფონდო: 2696

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.2A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS6994S

ნაწილი საფონდო: 3320

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.9A, 8.2A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

SI1912EDH-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 2739

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.13A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 450mV @ 100µA (Min),

SI1563DH-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 3284

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.13A, 880mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 100µA,

SI4834CDY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 135475

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 1mA,

SI6943BDQ-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 2779

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 800mV @ 250µA,

SI7960DP-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 2812

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.2A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

SI7222DN-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 2764

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5.7A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.6V @ 250µA,

SI1553DL-T1

ნაწილი საფონდო: 2791

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 660mA, 410mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 600mV @ 250µA (Min),

IXTL2X180N10T

ნაწილი საფონდო: 8037

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4.5V @ 250µA,

FMM150-0075P

ნაწილი საფონდო: 2781

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 75V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 150A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 120A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4V @ 1mA,

GWM120-0075X1-SMD

ნაწილი საფონდო: 2800

FET ტიპი: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 75V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 110A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4V @ 1mA,

GWM160-0055X1-SMDSAM

ნაწილი საფონდო: 2777

FET ტიპი: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 55V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 150A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4.5V @ 1mA,

TMC1620-TO

ნაწილი საფონდო: 2933

FET ტიპი: N and P-Channel, Common Drain, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.6A, 4.7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

SP8M5TB

ნაწილი საფონდო: 2649

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, 7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

SP8M10FU6TB

ნაწილი საფონდო: 2786

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7A, 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

STS1DNF20

ნაწილი საფონდო: 3271

PMDPB65UP,115

ნაწილი საფონდო: 2646

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

DMC3035LSD-13

ნაწილი საფონდო: 2777

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.9A, 5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.1V @ 250µA,

DMP2100UCB9-7

ნაწილი საფონდო: 181216

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual) Common Source, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 900mV @ 250µA,