ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | 2 N-Channel (Dual) |
FET ფუნქცია | Standard |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 75V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 150A |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 120A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 4V @ 1mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 225nC @ 10V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | - |
სიმძლავრე - მაქს | - |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 175°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
პაკეტი / კორპუსი | i4-Pac™-5 |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | ISOPLUS i4-PAC™ |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |