ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 32A |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | - |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.1V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 7.7nC @ 4.5V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1255pF @ 15V |
სიმძლავრე - მაქს | 12W |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 8-PowerLDFN |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-LSON (5x6) |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |