| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| FET ტიპი | 2 P-Channel (Dual) Common Drain |
| FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | - |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 5.7A, 4.5V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 3030pF @ 10V |
| სიმძლავრე - მაქს | 800mW |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | 6-WDFN Exposed Pad |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 6-MLP (2x3) |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
