ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | N and P-Channel |
FET ფუნქცია | Standard |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Ta), 4.2A (Ta) |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 7.4A, 10V, 45 mOhm @ 5.2A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 4.6nC, 5.1nC @ 4.5V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 501pF, 590pF @ 15V, 25V |
სიმძლავრე - მაქს | 1.2W (Ta) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-SO |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |