ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T08052A2492FBHFT

9T08052A2492FBHFT

ნაწილი საფონდო: 107

წინააღმდეგობა: 24.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A2612FBHFT

9T08052A2612FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4097

წინააღმდეგობა: 26.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A2672FBHFT

9T08052A2672FBHFT

ნაწილი საფონდო: 115

წინააღმდეგობა: 26.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A2432FBHFT

9T08052A2432FBHFT

ნაწილი საფონდო: 153

წინააღმდეგობა: 24.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A2322FBHFT

9T08052A2322FBHFT

ნაწილი საფონდო: 148

წინააღმდეგობა: 23.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A2372FBHFT

9T08052A2372FBHFT

ნაწილი საფონდო: 108

წინააღმდეგობა: 23.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A2402FBHFT

9T08052A2402FBHFT

ნაწილი საფონდო: 131

წინააღმდეგობა: 24 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A2212FBHFT

9T08052A2212FBHFT

ნაწილი საფონდო: 94

წინააღმდეგობა: 22.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A2202FBHFT

9T08052A2202FBHFT

ნაწილი საფონდო: 117

წინააღმდეგობა: 22 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A2262FBHFT

9T08052A2262FBHFT

ნაწილი საფონდო: 134

წინააღმდეგობა: 22.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A2152FBHFT

9T08052A2152FBHFT

ნაწილი საფონდო: 133

წინააღმდეგობა: 21.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1962FBHFT

9T08052A1962FBHFT

ნაწილი საფონდო: 130

წინააღმდეგობა: 19.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A2102FBHFT

9T08052A2102FBHFT

ნაწილი საფონდო: 62

წინააღმდეგობა: 21 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A2002FBHFT

9T08052A2002FBHFT

ნაწილი საფონდო: 100

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A2052FBHFT

9T08052A2052FBHFT

ნაწილი საფონდო: 96

წინააღმდეგობა: 20.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1822FBHFT

9T08052A1822FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4034

წინააღმდეგობა: 18.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1802FBHFT

9T08052A1802FBHFT

ნაწილი საფონდო: 158

წინააღმდეგობა: 18 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1872FBHFT

9T08052A1872FBHFT

ნაწილი საფონდო: 84

წინააღმდეგობა: 18.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1652FBHFT

9T08052A1652FBHFT

ნაწილი საფონდო: 129

წინააღმდეგობა: 16.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1742FBHFT

9T08052A1742FBHFT

ნაწილი საფონდო: 98

წინააღმდეგობა: 17.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1692FBHFT

9T08052A1692FBHFT

ნაწილი საფონდო: 70

წინააღმდეგობა: 16.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1782FBHFT

9T08052A1782FBHFT

ნაწილი საფონდო: 94

წინააღმდეგობა: 17.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1622FBHFT

9T08052A1622FBHFT

ნაწილი საფონდო: 83

წინააღმდეგობა: 16.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1542FBHFT

9T08052A1542FBHFT

ნაწილი საფონდო: 124

წინააღმდეგობა: 15.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1602FBHFT

9T08052A1602FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4061

წინააღმდეგობა: 16 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1582FBHFT

9T08052A1582FBHFT

ნაწილი საფონდო: 112

წინააღმდეგობა: 15.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1432FBHFT

9T08052A1432FBHFT

ნაწილი საფონდო: 117

წინააღმდეგობა: 14.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1402FBHFT

9T08052A1402FBHFT

ნაწილი საფონდო: 109

წინააღმდეგობა: 14 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1472FBHFT

9T08052A1472FBHFT

ნაწილი საფონდო: 73

წინააღმდეგობა: 14.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1372FBHFT

9T08052A1372FBHFT

ნაწილი საფონდო: 52

წინააღმდეგობა: 13.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1302FBHFT

9T08052A1302FBHFT

ნაწილი საფონდო: 141

წინააღმდეგობა: 13 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1332FBHFT

9T08052A1332FBHFT

ნაწილი საფონდო: 92

წინააღმდეგობა: 13.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1242FBHFT

9T08052A1242FBHFT

ნაწილი საფონდო: 88

წინააღმდეგობა: 12.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1202FBHFT

9T08052A1202FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4083

წინააღმდეგობა: 12 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1212FBHFT

9T08052A1212FBHFT

ნაწილი საფონდო: 141

წინააღმდეგობა: 12.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1182FBHFT

9T08052A1182FBHFT

ნაწილი საფონდო: 73

წინააღმდეგობა: 11.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი