ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T08052A6493FBHFT

9T08052A6493FBHFT

ნაწილი საფონდო: 242

წინააღმდეგობა: 649 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5903FBHFT

9T08052A5903FBHFT

ნაწილი საფონდო: 236

წინააღმდეგობა: 590 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6043FBHFT

9T08052A6043FBHFT

ნაწილი საფონდო: 230

წინააღმდეგობა: 604 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6203FBHFT

9T08052A6203FBHFT

ნაწილი საფონდო: 277

წინააღმდეგობა: 620 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6193FBHFT

9T08052A6193FBHFT

ნაწილი საფონდო: 213

წინააღმდეგობა: 619 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5623FBHFT

9T08052A5623FBHFT

ნაწილი საფონდო: 247

წინააღმდეგობა: 562 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5763FBHFT

9T08052A5763FBHFT

ნაწილი საფონდო: 257

წინააღმდეგობა: 576 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5603FBHFT

9T08052A5603FBHFT

ნაწილი საფონდო: 221

წინააღმდეგობა: 560 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5493FBHFT

9T08052A5493FBHFT

ნაწილი საფონდო: 248

წინააღმდეგობა: 549 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5363FBHFT

9T08052A5363FBHFT

ნაწილი საფონდო: 192

წინააღმდეგობა: 536 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5103FBHFT

9T08052A5103FBHFT

ნაწილი საფონდო: 254

წინააღმდეგობა: 510 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5233FBHFT

9T08052A5233FBHFT

ნაწილი საფონდო: 233

წინააღმდეგობა: 523 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4703FBHFT

9T08052A4703FBHFT

ნაწილი საფონდო: 249

წინააღმდეგობა: 470 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4753FBHFT

9T08052A4753FBHFT

ნაწილი საფონდო: 191

წინააღმდეგობა: 475 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4993FBHFT

9T08052A4993FBHFT

ნაწილი საფონდო: 249

წინააღმდეგობა: 499 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4873FBHFT

9T08052A4873FBHFT

ნაწილი საფონდო: 251

წინააღმდეგობა: 487 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4323FBHFT

9T08052A4323FBHFT

ნაწილი საფონდო: 179

წინააღმდეგობა: 432 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4643FBHFT

9T08052A4643FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4111

წინააღმდეგობა: 464 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4423FBHFT

9T08052A4423FBHFT

ნაწილი საფონდო: 186

წინააღმდეგობა: 442 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4533FBHFT

9T08052A4533FBHFT

ნაწილი საფონდო: 228

წინააღმდეგობა: 453 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4223FBHFT

9T08052A4223FBHFT

ნაწილი საფონდო: 257

წინააღმდეგობა: 422 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4023FBHFT

9T08052A4023FBHFT

ნაწილი საფონდო: 228

წინააღმდეგობა: 402 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4303FBHFT

9T08052A4303FBHFT

ნაწილი საფონდო: 181

წინააღმდეგობა: 430 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3923FBHFT

9T08052A3923FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4109

წინააღმდეგობა: 392 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3833FBHFT

9T08052A3833FBHFT

ნაწილი საფონდო: 184

წინააღმდეგობა: 383 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3743FBHFT

9T08052A3743FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4071

წინააღმდეგობა: 374 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3903FBHFT

9T08052A3903FBHFT

ნაწილი საფონდო: 266

წინააღმდეგობა: 390 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3653FBHFT

9T08052A3653FBHFT

ნაწილი საფონდო: 203

წინააღმდეგობა: 365 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3603FBHFT

9T08052A3603FBHFT

ნაწილი საფონდო: 256

წინააღმდეგობა: 360 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3573FBHFT

9T08052A3573FBHFT

ნაწილი საფონდო: 188

წინააღმდეგობა: 357 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3303FBHFT

9T08052A3303FBHFT

ნაწილი საფონდო: 192

წინააღმდეგობა: 330 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3323FBHFT

9T08052A3323FBHFT

ნაწილი საფონდო: 170

წინააღმდეგობა: 332 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3403FBHFT

9T08052A3403FBHFT

ნაწილი საფონდო: 213

წინააღმდეგობა: 340 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3003FBHFT

9T08052A3003FBHFT

ნაწილი საფონდო: 234

წინააღმდეგობა: 300 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3163FBHFT

9T08052A3163FBHFT

ნაწილი საფონდო: 195

წინააღმდეგობა: 316 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3093FBHFT

9T08052A3093FBHFT

ნაწილი საფონდო: 203

წინააღმდეგობა: 309 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი