ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T06031A13R3FBHFT

9T06031A13R3FBHFT

ნაწილი საფონდო: 256

წინააღმდეგობა: 13.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A12R4FBHFT

9T06031A12R4FBHFT

ნაწილი საფონდო: 293

წინააღმდეგობა: 12.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A13R0FBHFT

9T06031A13R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 253

წინააღმდეგობა: 13 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A12R7FBHFT

9T06031A12R7FBHFT

ნაწილი საფონდო: 265

წინააღმდეგობა: 12.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A12R1FBHFT

9T06031A12R1FBHFT

ნაწილი საფონდო: 319

წინააღმდეგობა: 12.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A12R0FBHFT

9T06031A12R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 305

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A11R5FBHFT

9T06031A11R5FBHFT

ნაწილი საფონდო: 317

წინააღმდეგობა: 11.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A11R8FBHFT

9T06031A11R8FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4113

წინააღმდეგობა: 11.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A11R3FBHFT

9T06031A11R3FBHFT

ნაწილი საფონდო: 283

წინააღმდეგობა: 11.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A10R2FBHFT

9T06031A10R2FBHFT

ნაწილი საფონდო: 313

წინააღმდეგობა: 10.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A10R7FBHFT

9T06031A10R7FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4075

წინააღმდეგობა: 10.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A10R5FBHFT

9T06031A10R5FBHFT

ნაწილი საფონდო: 251

წინააღმდეგობა: 10.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A11R0FBHFT

9T06031A11R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 299

წინააღმდეგობა: 11 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A9763FBHFT

9T08052A9763FBHFT

ნაწილი საფონდო: 286

წინააღმდეგობა: 976 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A9533FBHFT

9T08052A9533FBHFT

ნაწილი საფონდო: 295

წინააღმდეგობა: 953 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1004FBHFT

9T08052A1004FBHFT

ნაწილი საფონდო: 249

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A10R0FBHFT

9T06031A10R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 229

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
9T08052A8873FBHFT

9T08052A8873FBHFT

ნაწილი საფონდო: 306

წინააღმდეგობა: 887 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A9103FBHFT

9T08052A9103FBHFT

ნაწილი საფონდო: 304

წინააღმდეგობა: 910 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A9313FBHFT

9T08052A9313FBHFT

ნაწილი საფონდო: 250

წინააღმდეგობა: 931 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A9093FBHFT

9T08052A9093FBHFT

ნაწილი საფონდო: 289

წინააღმდეგობა: 909 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A8663FBHFT

9T08052A8663FBHFT

ნაწილი საფონდო: 298

წინააღმდეგობა: 866 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A8203FBHFT

9T08052A8203FBHFT

ნაწილი საფონდო: 274

წინააღმდეგობა: 820 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A8253FBHFT

9T08052A8253FBHFT

ნაწილი საფონდო: 299

წინააღმდეგობა: 825 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A8453FBHFT

9T08052A8453FBHFT

ნაწილი საფონდო: 231

წინააღმდეგობა: 845 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A7503FBHFT

9T08052A7503FBHFT

ნაწილი საფონდო: 232

წინააღმდეგობა: 750 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A8063FBHFT

9T08052A8063FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4034

წინააღმდეგობა: 806 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A7693FBHFT

9T08052A7693FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4099

წინააღმდეგობა: 769 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A7873FBHFT

9T08052A7873FBHFT

ნაწილი საფონდო: 253

წინააღმდეგობა: 787 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6813FBHFT

9T08052A6813FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4072

წინააღმდეგობა: 681 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A7153FBHFT

9T08052A7153FBHFT

ნაწილი საფონდო: 237

წინააღმდეგობა: 715 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A7323FBHFT

9T08052A7323FBHFT

ნაწილი საფონდო: 215

წინააღმდეგობა: 732 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6983FBHFT

9T08052A6983FBHFT

ნაწილი საფონდო: 276

წინააღმდეგობა: 698 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6803FBHFT

9T08052A6803FBHFT

ნაწილი საფონდო: 243

წინააღმდეგობა: 680 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6343FBHFT

9T08052A6343FBHFT

ნაწილი საფონდო: 220

წინააღმდეგობა: 634 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6653FBHFT

9T08052A6653FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4046

წინააღმდეგობა: 665 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი