ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T08052A1213FBHFT

9T08052A1213FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4077

წინააღმდეგობა: 121 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1273FBHFT

9T08052A1273FBHFT

ნაწილი საფონდო: 133

წინააღმდეგობა: 127 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1243FBHFT

9T08052A1243FBHFT

ნაწილი საფონდო: 183

წინააღმდეგობა: 124 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1303FBHFT

9T08052A1303FBHFT

ნაწილი საფონდო: 128

წინააღმდეგობა: 130 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1133FBHFT

9T08052A1133FBHFT

ნაწილი საფონდო: 182

წინააღმდეგობა: 113 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1183FBHFT

9T08052A1183FBHFT

ნაწილი საფონდო: 171

წინააღმდეგობა: 118 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1153FBHFT

9T08052A1153FBHFT

ნაწილი საფონდო: 188

წინააღმდეგობა: 115 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1203FBHFT

9T08052A1203FBHFT

ნაწილი საფონდო: 189

წინააღმდეგობა: 120 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1073FBHFT

9T08052A1073FBHFT

ნაწილი საფონდო: 143

წინააღმდეგობა: 107 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1023FBHFT

9T08052A1023FBHFT

ნაწილი საფონდო: 192

წინააღმდეგობა: 102 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1053FBHFT

9T08052A1053FBHFT

ნაწილი საფონდო: 183

წინააღმდეგობა: 105 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1103FBHFT

9T08052A1103FBHFT

ნაწილი საფონდო: 213

წინააღმდეგობა: 110 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A9532FBHFT

9T08052A9532FBHFT

ნაწილი საფონდო: 153

წინააღმდეგობა: 95.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A9762FBHFT

9T08052A9762FBHFT

ნაწილი საფონდო: 193

წინააღმდეგობა: 97.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1003FBHFT

9T08052A1003FBHFT

ნაწილი საფონდო: 171

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A9312FBHFT

9T08052A9312FBHFT

ნაწილი საფონდო: 172

წინააღმდეგობა: 93.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A9092FBHFT

9T08052A9092FBHFT

ნაწილი საფონდო: 140

წინააღმდეგობა: 90.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A8662FBHFT

9T08052A8662FBHFT

ნაწილი საფონდო: 121

წინააღმდეგობა: 86.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A8252FBHFT

9T08052A8252FBHFT

ნაწილი საფონდო: 153

წინააღმდეგობა: 82.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A8062FBHFT

9T08052A8062FBHFT

ნაწილი საფონდო: 161

წინააღმდეგობა: 80.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A8452FBHFT

9T08052A8452FBHFT

ნაწილი საფონდო: 155

წინააღმდეგობა: 84.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A7502FBHFT

9T08052A7502FBHFT

ნაწილი საფონდო: 126

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A7322FBHFT

9T08052A7322FBHFT

ნაწილი საფონდო: 179

წინააღმდეგობა: 73.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A7692FBHFT

9T08052A7692FBHFT

ნაწილი საფონდო: 195

წინააღმდეგობა: 76.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6802FBHFT

9T08052A6802FBHFT

ნაწილი საფონდო: 132

წინააღმდეგობა: 68 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6982FBHFT

9T08052A6982FBHFT

ნაწილი საფონდო: 117

წინააღმდეგობა: 69.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A7152FBHFT

9T08052A7152FBHFT

ნაწილი საფონდო: 174

წინააღმდეგობა: 71.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6812FBHFT

9T08052A6812FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4020

წინააღმდეგობა: 68.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6202FBHFT

9T08052A6202FBHFT

ნაწილი საფონდო: 203

წინააღმდეგობა: 62 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6342FBHFT

9T08052A6342FBHFT

ნაწილი საფონდო: 124

წინააღმდეგობა: 63.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6492FBHFT

9T08052A6492FBHFT

ნაწილი საფონდო: 143

წინააღმდეგობა: 64.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6042FBHFT

9T08052A6042FBHFT

ნაწილი საფონდო: 143

წინააღმდეგობა: 60.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5902FBHFT

9T08052A5902FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4016

წინააღმდეგობა: 59 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5762FBHFT

9T08052A5762FBHFT

ნაწილი საფონდო: 111

წინააღმდეგობა: 57.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6192FBHFT

9T08052A6192FBHFT

ნაწილი საფონდო: 138

წინააღმდეგობა: 61.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5492FBHFT

9T08052A5492FBHFT

ნაწილი საფონდო: 101

წინააღმდეგობა: 54.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი