ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T08052A5362FBHFT

9T08052A5362FBHFT

ნაწილი საფონდო: 143

წინააღმდეგობა: 53.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5622FBHFT

9T08052A5622FBHFT

ნაწილი საფონდო: 175

წინააღმდეგობა: 56.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5602FBHFT

9T08052A5602FBHFT

ნაწილი საფონდო: 116

წინააღმდეგობა: 56 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4992FBHFT

9T08052A4992FBHFT

ნაწილი საფონდო: 156

წინააღმდეგობა: 49.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5112FBHFT

9T08052A5112FBHFT

ნაწილი საფონდო: 147

წინააღმდეგობა: 51.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5232FBHFT

9T08052A5232FBHFT

ნაწილი საფონდო: 98

წინააღმდეგობა: 52.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5102FBHFT

9T08052A5102FBHFT

ნაწილი საფონდო: 135

წინააღმდეგობა: 51 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4752FBHFT

9T08052A4752FBHFT

ნაწილი საფონდო: 139

წინააღმდეგობა: 47.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4702FBHFT

9T08052A4702FBHFT

ნაწილი საფონდო: 166

წინააღმდეგობა: 47 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4872FBHFT

9T08052A4872FBHFT

ნაწილი საფონდო: 95

წინააღმდეგობა: 48.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4642FBHFT

9T08052A4642FBHFT

ნაწილი საფონდო: 158

წინააღმდეგობა: 46.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4532FBHFT

9T08052A4532FBHFT

ნაწილი საფონდო: 115

წინააღმდეგობა: 45.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4422FBHFT

9T08052A4422FBHFT

ნაწილი საფონდო: 173

წინააღმდეგობა: 44.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4322FBHFT

9T08052A4322FBHFT

ნაწილი საფონდო: 108

წინააღმდეგობა: 43.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4122FBHFT

9T08052A4122FBHFT

ნაწილი საფონდო: 117

წინააღმდეგობა: 41.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3922FBHFT

9T08052A3922FBHFT

ნაწილი საფონდო: 154

წინააღმდეგობა: 39.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4222FBHFT

9T08052A4222FBHFT

ნაწილი საფონდო: 120

წინააღმდეგობა: 42.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4022FBHFT

9T08052A4022FBHFT

ნაწილი საფონდო: 128

წინააღმდეგობა: 40.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3832FBHFT

9T08052A3832FBHFT

ნაწილი საფონდო: 117

წინააღმდეგობა: 38.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3742FBHFT

9T08052A3742FBHFT

ნაწილი საფონდო: 147

წინააღმდეგობა: 37.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3902FBHFT

9T08052A3902FBHFT

ნაწილი საფონდო: 127

წინააღმდეგობა: 39 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3652FBHFT

9T08052A3652FBHFT

ნაწილი საფონდო: 143

წინააღმდეგობა: 36.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3482FBHFT

9T08052A3482FBHFT

ნაწილი საფონდო: 104

წინააღმდეგობა: 34.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3572FBHFT

9T08052A3572FBHFT

ნაწილი საფონდო: 90

წინააღმდეგობა: 35.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3602FBHFT

9T08052A3602FBHFT

ნაწილი საფონდო: 129

წინააღმდეგობა: 36 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3242FBHFT

9T08052A3242FBHFT

ნაწილი საფონდო: 108

წინააღმდეგობა: 32.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3162FBHFT

9T08052A3162FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4021

წინააღმდეგობა: 31.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3322FBHFT

9T08052A3322FBHFT

ნაწილი საფონდო: 175

წინააღმდეგობა: 33.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3302FBHFT

9T08052A3302FBHFT

ნაწილი საფონდო: 163

წინააღმდეგობა: 33 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A2942FBHFT

9T08052A2942FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4043

წინააღმდეგობა: 29.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3002FBHFT

9T08052A3002FBHFT

ნაწილი საფონდო: 128

წინააღმდეგობა: 30 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3012FBHFT

9T08052A3012FBHFT

ნაწილი საფონდო: 7496

წინააღმდეგობა: 30.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3092FBHFT

9T08052A3092FBHFT

ნაწილი საფონდო: 114

წინააღმდეგობა: 30.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A2702FBHFT

9T08052A2702FBHFT

ნაწილი საფონდო: 83

წინააღმდეგობა: 27 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A2872FBHFT

9T08052A2872FBHFT

ნაწილი საფონდო: 102

წინააღმდეგობა: 28.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A2802FBHFT

9T08052A2802FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4079

წინააღმდეგობა: 28 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი