ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T08052A5231FBHFT

9T08052A5231FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10072

წინააღმდეგობა: 5.23 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5491FBHFT

9T08052A5491FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10080

წინააღმდეგობა: 5.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5361FBHFT

9T08052A5361FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10016

წინააღმდეგობა: 5.36 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5101FBHFT

9T08052A5101FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10026

წინააღმდეგობა: 5.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4871FBHFT

9T08052A4871FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10068

წინააღმდეგობა: 4.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4751FBHFT

9T08052A4751FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4049

წინააღმდეგობა: 4.75 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4991FBHFT

9T08052A4991FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10000

წინააღმდეგობა: 4.99 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4531FBHFT

9T08052A4531FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10036

წინააღმდეგობა: 4.53 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4641FBHFT

9T08052A4641FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10025

წინააღმდეგობა: 4.64 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4701FBHFT

9T08052A4701FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10064

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4421FBHFT

9T08052A4421FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10075

წინააღმდეგობა: 4.42 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4221FBHFT

9T08052A4221FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9992

წინააღმდეგობა: 4.22 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4301FBHFT

9T08052A4301FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10036

წინააღმდეგობა: 4.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4321FBHFT

9T08052A4321FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9996

წინააღმდეგობა: 4.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3901FBHFT

9T08052A3901FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10083

წინააღმდეგობა: 3.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A4021FBHFT

9T08052A4021FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4011

წინააღმდეგობა: 4.02 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3831FBHFT

9T08052A3831FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4002

წინააღმდეგობა: 3.83 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3921FBHFT

9T08052A3921FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10084

წინააღმდეგობა: 3.92 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3601FBHFT

9T08052A3601FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10043

წინააღმდეგობა: 3.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3651FBHFT

9T08052A3651FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10041

წინააღმდეგობა: 3.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3571FBHFT

9T08052A3571FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10081

წინააღმდეგობა: 3.57 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3741FBHFT

9T08052A3741FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10076

წინააღმდეგობა: 3.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3401FBHFT

9T08052A3401FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10064

წინააღმდეგობა: 3.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3481FBHFT

9T08052A3481FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10054

წინააღმდეგობა: 3.48 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3301FBHFT

9T08052A3301FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10052

წინააღმდეგობა: 3.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3321FBHFT

9T08052A3321FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10022

წინააღმდეგობა: 3.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3161FBHFT

9T08052A3161FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9986

წინააღმდეგობა: 3.16 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3011FBHFT

9T08052A3011FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10037

წინააღმდეგობა: 3.01 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3091FBHFT

9T08052A3091FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10023

წინააღმდეგობა: 3.09 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A2801FBHFT

9T08052A2801FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10007

წინააღმდეგობა: 2.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A2941FBHFT

9T08052A2941FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10049

წინააღმდეგობა: 2.94 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A3001FBHFT

9T08052A3001FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9984

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A2671FBHFT

9T08052A2671FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9987

წინააღმდეგობა: 2.67 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A2741FBHFT

9T08052A2741FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9988

წინააღმდეგობა: 2.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A2611FBHFT

9T08052A2611FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10009

წინააღმდეგობა: 2.61 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A2401FBHFT

9T08052A2401FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10025

წინააღმდეგობა: 2.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი