ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T08052A1201FBHFT

9T08052A1201FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10004

წინააღმდეგობა: 1.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1021FBHFT

9T08052A1021FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10014

წინააღმდეგობა: 1.02 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1071FBHFT

9T08052A1071FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10009

წინააღმდეგობა: 1.07 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1101FBHFT

9T08052A1101FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9946

წინააღმდეგობა: 1.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1051FBHFT

9T08052A1051FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10011

წინააღმდეგობა: 1.05 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A9310FBHFT

9T08052A9310FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9955

წინააღმდეგობა: 931 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A9530FBHFT

9T08052A9530FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9938

წინააღმდეგობა: 953 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1001FBHFT

9T08052A1001FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10001

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A9760FBHFT

9T08052A9760FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4078

წინააღმდეგობა: 976 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A8660FBHFT

9T08052A8660FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10018

წინააღმდეგობა: 866 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A9090FBHFT

9T08052A9090FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4014

წინააღმდეგობა: 909 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A9100FBHFT

9T08052A9100FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9968

წინააღმდეგობა: 910 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A8200FBHFT

9T08052A8200FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10007

წინააღმდეგობა: 820 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A8250FBHFT

9T08052A8250FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9946

წინააღმდეგობა: 825 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A8450FBHFT

9T08052A8450FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9982

წინააღმდეგობა: 845 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A8060FBHFT

9T08052A8060FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10019

წინააღმდეგობა: 806 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A7320FBHFT

9T08052A7320FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9994

წინააღმდეგობა: 732 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A7690FBHFT

9T08052A7690FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9943

წინააღმდეგობა: 769 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A7870FBHFT

9T08052A7870FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9987

წინააღმდეგობა: 787 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A7500FBHFT

9T08052A7500FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9968

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A7150FBHFT

9T08052A7150FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10004

წინააღმდეგობა: 715 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6810FBHFT

9T08052A6810FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10010

წინააღმდეგობა: 681 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6800FBHFT

9T08052A6800FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9959

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6980FBHFT

9T08052A6980FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9927

წინააღმდეგობა: 698 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6650FBHFT

9T08052A6650FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9983

წინააღმდეგობა: 665 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6340FBHFT

9T08052A6340FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9992

წინააღმდეგობა: 634 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6200FBHFT

9T08052A6200FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10015

წინააღმდეგობა: 620 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6490FBHFT

9T08052A6490FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9962

წინააღმდეგობა: 649 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5900FBHFT

9T08052A5900FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10011

წინააღმდეგობა: 590 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5760FBHFT

9T08052A5760FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9978

წინააღმდეგობა: 576 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6190FBHFT

9T08052A6190FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9942

წინააღმდეგობა: 619 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5360FBHFT

9T08052A5360FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9955

წინააღმდეგობა: 536 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5600FBHFT

9T08052A5600FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9923

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5490FBHFT

9T08052A5490FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4022

წინააღმდეგობა: 549 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5620FBHFT

9T08052A5620FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9956

წინააღმდეგობა: 562 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5110FBHFT

9T08052A5110FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9908

წინააღმდეგობა: 511 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი