ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T08052A97R6FBHFT

9T08052A97R6FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4036

წინააღმდეგობა: 97.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1000FBHFT

9T08052A1000FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9937

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1050FBHFT

9T08052A1050FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9889

წინააღმდეგობა: 105 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A95R3FBHFT

9T08052A95R3FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9855

წინააღმდეგობა: 95.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A91R0FBHFT

9T08052A91R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9888

წინააღმდეგობა: 91 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A93R1FBHFT

9T08052A93R1FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9911

წინააღმდეგობა: 93.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A90R9FBHFT

9T08052A90R9FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9932

წინააღმდეგობა: 90.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A86R6FBHFT

9T08052A86R6FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9859

წინააღმდეგობა: 86.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A82R5FBHFT

9T08052A82R5FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9869

წინააღმდეგობა: 82.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A88R7FBHFT

9T08052A88R7FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9853

წინააღმდეგობა: 88.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A80R6FBHFT

9T08052A80R6FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9864

წინააღმდეგობა: 80.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A78R7FBHFT

9T08052A78R7FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9870

წინააღმდეგობა: 78.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A76R9FBHFT

9T08052A76R9FBHFT

ნაწილი საფონდო: 7419

წინააღმდეგობა: 76.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A82R0FBHFT

9T08052A82R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9848

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A71R5FBHFT

9T08052A71R5FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9929

წინააღმდეგობა: 71.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A75R0FBHFT

9T08052A75R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9918

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A68R0FBHFT

9T08052A68R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9835

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A66R5FBHFT

9T08052A66R5FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9890

წინააღმდეგობა: 66.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A68R1FBHFT

9T08052A68R1FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9834

წინააღმდეგობა: 68.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A60R4FBHFT

9T08052A60R4FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9859

წინააღმდეგობა: 60.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A63R4FBHFT

9T08052A63R4FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9906

წინააღმდეგობა: 63.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A62R0FBHFT

9T08052A62R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9852

წინააღმდეგობა: 62 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A56R2FBHFT

9T08052A56R2FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4039

წინააღმდეგობა: 56.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A56R0FBHFT

9T08052A56R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9916

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A57R6FBHFT

9T08052A57R6FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9871

წინააღმდეგობა: 57.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A59R0FBHFT

9T08052A59R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9840

წინააღმდეგობა: 59 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A51R1FBHFT

9T08052A51R1FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9914

წინააღმდეგობა: 51.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A53R6FBHFT

9T08052A53R6FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9819

წინააღმდეგობა: 53.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A52R3FBHFT

9T08052A52R3FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9899

წინააღმდეგობა: 52.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A54R9FBHFT

9T08052A54R9FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9854

წინააღმდეგობა: 54.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A48R7FBHFT

9T08052A48R7FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9869

წინააღმდეგობა: 48.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A49R9FBHFT

9T08052A49R9FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9902

წინააღმდეგობა: 49.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A47R5FBHFT

9T08052A47R5FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9817

წინააღმდეგობა: 47.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A51R0FBHFT

9T08052A51R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9912

წინააღმდეგობა: 51 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A45R3FBHFT

9T08052A45R3FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9886

წინააღმდეგობა: 45.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A44R2FBHFT

9T08052A44R2FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9843

წინააღმდეგობა: 44.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი