ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T08052A20R5FBHFT

9T08052A20R5FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9849

წინააღმდეგობა: 20.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A19R6FBHFT

9T08052A19R6FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9848

წინააღმდეგობა: 19.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A20R0FBHFT

9T08052A20R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4018

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A18R7FBHFT

9T08052A18R7FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9788

წინააღმდეგობა: 18.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A19R1FBHFT

9T08052A19R1FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9833

წინააღმდეგობა: 19.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A18R2FBHFT

9T08052A18R2FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9772

წინააღმდეგობა: 18.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A17R4FBHFT

9T08052A17R4FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9786

წინააღმდეგობა: 17.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A17R8FBHFT

9T08052A17R8FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9849

წინააღმდეგობა: 17.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A16R5FBHFT

9T08052A16R5FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9845

წინააღმდეგობა: 16.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A16R0FBHFT

9T08052A16R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9856

წინააღმდეგობა: 16 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A16R9FBHFT

9T08052A16R9FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9838

წინააღმდეგობა: 16.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A16R2FBHFT

9T08052A16R2FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9837

წინააღმდეგობა: 16.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A15R0FBHFT

9T08052A15R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9840

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A15R4FBHFT

9T08052A15R4FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9854

წინააღმდეგობა: 15.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A14R7FBHFT

9T08052A14R7FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9832

წინააღმდეგობა: 14.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A15R8FBHFT

9T08052A15R8FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9838

წინააღმდეგობა: 15.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A14R3FBHFT

9T08052A14R3FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9831

წინააღმდეგობა: 14.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A13R3FBHFT

9T08052A13R3FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9807

წინააღმდეგობა: 13.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A14R0FBHFT

9T08052A14R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9788

წინააღმდეგობა: 14 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A13R7FBHFT

9T08052A13R7FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9819

წინააღმდეგობა: 13.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A12R1FBHFT

9T08052A12R1FBHFT

ნაწილი საფონდო: 3987

წინააღმდეგობა: 12.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A13R0FBHFT

9T08052A13R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9816

წინააღმდეგობა: 13 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A12R4FBHFT

9T08052A12R4FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4043

წინააღმდეგობა: 12.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A12R7FBHFT

9T08052A12R7FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9800

წინააღმდეგობა: 12.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A11R3FBHFT

9T08052A11R3FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9807

წინააღმდეგობა: 11.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A11R5FBHFT

9T08052A11R5FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9766

წინააღმდეგობა: 11.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A12R0FBHFT

9T08052A12R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9752

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A11R8FBHFT

9T08052A11R8FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9757

წინააღმდეგობა: 11.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A10R2FBHFT

9T08052A10R2FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9773

წინააღმდეგობა: 10.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A10R5FBHFT

9T08052A10R5FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9774

წინააღმდეგობა: 10.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T12062A9763FBHFT

9T12062A9763FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9782

წინააღმდეგობა: 976 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T12062A1004FBHFT

9T12062A1004FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9818

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A10R0FBHFT

9T08052A10R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9751

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
9T12062A9533FBHFT

9T12062A9533FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9821

წინააღმდეგობა: 953 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T12062A9313FBHFT

9T12062A9313FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9773

წინააღმდეგობა: 931 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T12062A9093FBHFT

9T12062A9093FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9756

წინააღმდეგობა: 909 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი