ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T08052A47R0FBHFT

9T08052A47R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9866

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A42R2FBHFT

9T08052A42R2FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9853

წინააღმდეგობა: 42.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A43R0FBHFT

9T08052A43R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9813

წინააღმდეგობა: 43 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A43R2FBHFT

9T08052A43R2FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9879

წინააღმდეგობა: 43.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A41R2FBHFT

9T08052A41R2FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9885

წინააღმდეგობა: 41.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A40R2FBHFT

9T08052A40R2FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9816

წინააღმდეგობა: 40.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A38R3FBHFT

9T08052A38R3FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4005

წინააღმდეგობა: 38.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A39R0FBHFT

9T08052A39R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9875

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A39R2FBHFT

9T08052A39R2FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9901

წინააღმდეგობა: 39.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A37R4FBHFT

9T08052A37R4FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4024

წინააღმდეგობა: 37.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A35R7FBHFT

9T08052A35R7FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9863

წინააღმდეგობა: 35.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A36R5FBHFT

9T08052A36R5FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9833

წინააღმდეგობა: 36.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A36R0FBHFT

9T08052A36R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9884

წინააღმდეგობა: 36 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A34R0FBHFT

9T08052A34R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4041

წინააღმდეგობა: 34 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A34R8FBHFT

9T08052A34R8FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9832

წინააღმდეგობა: 34.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A33R0FBHFT

9T08052A33R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 7408

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A31R6FBHFT

9T08052A31R6FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9822

წინააღმდეგობა: 31.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A30R1FBHFT

9T08052A30R1FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9820

წინააღმდეგობა: 30.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A30R9FBHFT

9T08052A30R9FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9864

წინააღმდეგობა: 30.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A32R4FBHFT

9T08052A32R4FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9835

წინააღმდეგობა: 32.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A28R7FBHFT

9T08052A28R7FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9883

წინააღმდეგობა: 28.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A28R0FBHFT

9T08052A28R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9808

წინააღმდეგობა: 28 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A30R0FBHFT

9T08052A30R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9864

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A29R4FBHFT

9T08052A29R4FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9871

წინააღმდეგობა: 29.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A27R0FBHFT

9T08052A27R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9790

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A26R7FBHFT

9T08052A26R7FBHFT

ნაწილი საფონდო: 3999

წინააღმდეგობა: 26.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A26R1FBHFT

9T08052A26R1FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9791

წინააღმდეგობა: 26.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A27R4FBHFT

9T08052A27R4FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9797

წინააღმდეგობა: 27.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A24R3FBHFT

9T08052A24R3FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9817

წინააღმდეგობა: 24.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A25R5FBHFT

9T08052A25R5FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9863

წინააღმდეგობა: 25.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A24R0FBHFT

9T08052A24R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9860

წინააღმდეგობა: 24 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A22R1FBHFT

9T08052A22R1FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9793

წინააღმდეგობა: 22.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A22R6FBHFT

9T08052A22R6FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9842

წინააღმდეგობა: 22.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A23R7FBHFT

9T08052A23R7FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9786

წინააღმდეგობა: 23.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A23R2FBHFT

9T08052A23R2FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9838

წინააღმდეგობა: 23.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A21R5FBHFT

9T08052A21R5FBHFT

ნაწილი საფონდო: 9848

წინააღმდეგობა: 21.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი