ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T08052A1072FBHFT

9T08052A1072FBHFT

ნაწილი საფონდო: 77

წინააღმდეგობა: 10.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1152FBHFT

9T08052A1152FBHFT

ნაწილი საფონდო: 53

წინააღმდეგობა: 11.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1102FBHFT

9T08052A1102FBHFT

ნაწილი საფონდო: 51

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1132FBHFT

9T08052A1132FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4070

წინააღმდეგობა: 11.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A9761FBHFT

9T08052A9761FBHFT

ნაწილი საფონდო: 125

წინააღმდეგობა: 9.76 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1052FBHFT

9T08052A1052FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4099

წინააღმდეგობა: 10.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1002FBHFT

9T08052A1002FBHFT

ნაწილი საფონდო: 59

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A1022FBHFT

9T08052A1022FBHFT

ნაწილი საფონდო: 108

წინააღმდეგობა: 10.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A9531FBHFT

9T08052A9531FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4079

წინააღმდეგობა: 9.53 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A9101FBHFT

9T08052A9101FBHFT

ნაწილი საფონდო: 81

წინააღმდეგობა: 9.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A9311FBHFT

9T08052A9311FBHFT

ნაწილი საფონდო: 117

წინააღმდეგობა: 9.31 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A9091FBHFT

9T08052A9091FBHFT

ნაწილი საფონდო: 4057

წინააღმდეგობა: 9.09 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A8661FBHFT

9T08052A8661FBHFT

ნაწილი საფონდო: 86

წინააღმდეგობა: 8.66 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A8451FBHFT

9T08052A8451FBHFT

ნაწილი საფონდო: 65

წინააღმდეგობა: 8.45 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A8251FBHFT

9T08052A8251FBHFT

ნაწილი საფონდო: 52

წინააღმდეგობა: 8.25 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A8871FBHFT

9T08052A8871FBHFT

ნაწილი საფონდო: 80

წინააღმდეგობა: 8.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A8061FBHFT

9T08052A8061FBHFT

ნაწილი საფონდო: 56

წინააღმდეგობა: 8.06 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A7871FBHFT

9T08052A7871FBHFT

ნაწილი საფონდო: 67

წინააღმდეგობა: 7.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A7691FBHFT

9T08052A7691FBHFT

ნაწილი საფონდო: 112

წინააღმდეგობა: 7.69 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A8201FBHFT

9T08052A8201FBHFT

ნაწილი საფონდო: 109

წინააღმდეგობა: 8.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6981FBHFT

9T08052A6981FBHFT

ნაწილი საფონდო: 114

წინააღმდეგობა: 6.98 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A7501FBHFT

9T08052A7501FBHFT

ნაწილი საფონდო: 51

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A7321FBHFT

9T08052A7321FBHFT

ნაწილი საფონდო: 44

წინააღმდეგობა: 7.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A7151FBHFT

9T08052A7151FBHFT

ნაწილი საფონდო: 114

წინააღმდეგობა: 7.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6801FBHFT

9T08052A6801FBHFT

ნაწილი საფონდო: 110

წინააღმდეგობა: 6.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6491FBHFT

9T08052A6491FBHFT

ნაწილი საფონდო: 63

წინააღმდეგობა: 6.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6651FBHFT

9T08052A6651FBHFT

ნაწილი საფონდო: 97

წინააღმდეგობა: 6.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6811FBHFT

9T08052A6811FBHFT

ნაწილი საფონდო: 47

წინააღმდეგობა: 6.81 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6191FBHFT

9T08052A6191FBHFT

ნაწილი საფონდო: 104

წინააღმდეგობა: 6.19 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6341FBHFT

9T08052A6341FBHFT

ნაწილი საფონდო: 69

წინააღმდეგობა: 6.34 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6201FBHFT

9T08052A6201FBHFT

ნაწილი საფონდო: 12

წინააღმდეგობა: 6.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A6041FBHFT

9T08052A6041FBHFT

ნაწილი საფონდო: 33

წინააღმდეგობა: 6.04 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5761FBHFT

9T08052A5761FBHFT

ნაწილი საფონდო: 38

წინააღმდეგობა: 5.76 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5621FBHFT

9T08052A5621FBHFT

ნაწილი საფონდო: 77

წინააღმდეგობა: 5.62 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5601FBHFT

9T08052A5601FBHFT

ნაწილი საფონდო: 2807

წინააღმდეგობა: 5.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T08052A5901FBHFT

9T08052A5901FBHFT

ნაწილი საფონდო: 10036

წინააღმდეგობა: 5.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი