ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T06031A64R9FBHFT

9T06031A64R9FBHFT

ნაწილი საფონდო: 321

წინააღმდეგობა: 64.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A68R1FBHFT

9T06031A68R1FBHFT

ნაწილი საფონდო: 365

წინააღმდეგობა: 68.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A63R4FBHFT

9T06031A63R4FBHFT

ნაწილი საფონდო: 370

წინააღმდეგობა: 63.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A62R0FBHFT

9T06031A62R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 320

წინააღმდეგობა: 62 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A61R9FBHFT

9T06031A61R9FBHFT

ნაწილი საფონდო: 355

წინააღმდეგობა: 61.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A60R4FBHFT

9T06031A60R4FBHFT

ნაწილი საფონდო: 353

წინააღმდეგობა: 60.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A56R0FBHFT

9T06031A56R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 376

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A56R2FBHFT

9T06031A56R2FBHFT

ნაწილი საფონდო: 328

წინააღმდეგობა: 56.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A57R6FBHFT

9T06031A57R6FBHFT

ნაწილი საფონდო: 335

წინააღმდეგობა: 57.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A59R0FBHFT

9T06031A59R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 335

წინააღმდეგობა: 59 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A52R3FBHFT

9T06031A52R3FBHFT

ნაწილი საფონდო: 316

წინააღმდეგობა: 52.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A53R6FBHFT

9T06031A53R6FBHFT

ნაწილი საფონდო: 353

წინააღმდეგობა: 53.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A51R1FBHFT

9T06031A51R1FBHFT

ნაწილი საფონდო: 356

წინააღმდეგობა: 51.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A54R9FBHFT

9T06031A54R9FBHFT

ნაწილი საფონდო: 372

წინააღმდეგობა: 54.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A48R7FBHFT

9T06031A48R7FBHFT

ნაწილი საფონდო: 366

წინააღმდეგობა: 48.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A47R5FBHFT

9T06031A47R5FBHFT

ნაწილი საფონდო: 291

წინააღმდეგობა: 47.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A51R0FBHFT

9T06031A51R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 318

წინააღმდეგობა: 51 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A49R9FBHFT

9T06031A49R9FBHFT

ნაწილი საფონდო: 309

წინააღმდეგობა: 49.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A45R3FBHFT

9T06031A45R3FBHFT

ნაწილი საფონდო: 335

წინააღმდეგობა: 45.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A44R2FBHFT

9T06031A44R2FBHFT

ნაწილი საფონდო: 332

წინააღმდეგობა: 44.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A43R2FBHFT

9T06031A43R2FBHFT

ნაწილი საფონდო: 311

წინააღმდეგობა: 43.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A43R0FBHFT

9T06031A43R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 337

წინააღმდეგობა: 43 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A41R2FBHFT

9T06031A41R2FBHFT

ნაწილი საფონდო: 337

წინააღმდეგობა: 41.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A42R2FBHFT

9T06031A42R2FBHFT

ნაწილი საფონდო: 321

წინააღმდეგობა: 42.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A39R2FBHFT

9T06031A39R2FBHFT

ნაწილი საფონდო: 291

წინააღმდეგობა: 39.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A40R2FBHFT

9T06031A40R2FBHFT

ნაწილი საფონდო: 302

წინააღმდეგობა: 40.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A38R3FBHFT

9T06031A38R3FBHFT

ნაწილი საფონდო: 374

წინააღმდეგობა: 38.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A39R0FBHFT

9T06031A39R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 348

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A36R5FBHFT

9T06031A36R5FBHFT

ნაწილი საფონდო: 354

წინააღმდეგობა: 36.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A35R7FBHFT

9T06031A35R7FBHFT

ნაწილი საფონდო: 310

წინააღმდეგობა: 35.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A37R4FBHFT

9T06031A37R4FBHFT

ნაწილი საფონდო: 319

წინააღმდეგობა: 37.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A36R0FBHFT

9T06031A36R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 346

წინააღმდეგობა: 36 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A33R2FBHFT

9T06031A33R2FBHFT

ნაწილი საფონდო: 330

წინააღმდეგობა: 33.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A33R0FBHFT

9T06031A33R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 300

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A34R0FBHFT

9T06031A34R0FBHFT

ნაწილი საფონდო: 310

წინააღმდეგობა: 34 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T06031A34R8FBHFT

9T06031A34R8FBHFT

ნაწილი საფონდო: 321

წინააღმდეგობა: 34.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი