ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

Y40241K00000T0W

Y40241K00000T0W

ნაწილი საფონდო: 203

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1121348R800B0L

Y1121348R800B0L

ნაწილი საფონდო: 202

წინააღმდეგობა: 348.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y4045392R000F0W

Y4045392R000F0W

ნაწილი საფონდო: 172

წინააღმდეგობა: 392 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y0794500R000F0W

Y0794500R000F0W

ნაწილი საფონდო: 212

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.0125W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±3ppm/°C,

სასურველი
Y40211K33000T9W

Y40211K33000T9W

ნაწილი საფონდო: 222

წინააღმდეგობა: 1.33 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y14962K74000Q0W

Y14962K74000Q0W

ნაწილი საფონდო: 184

წინააღმდეგობა: 2.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y1624470R000T9W

Y1624470R000T9W

ნაწილი საფონდო: 231

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y112138R4000B9L

Y112138R4000B9L

ნაწილი საფონდო: 118

წინააღმდეგობა: 38.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y4021200R000Q9W

Y4021200R000Q9W

ნაწილი საფონდო: 211

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162515K2000B9W

Y162515K2000B9W

ნაწილი საფონდო: 201

წინააღმდეგობა: 15.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16255K23000Q0W

Y16255K23000Q0W

ნაწილი საფონდო: 194

წინააღმდეგობა: 5.23 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1169100R000B0L

Y1169100R000B0L

ნაწილი საფონდო: 134

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y14730R00400B0W

Y14730R00400B0W

ნაწილი საფონდო: 901

წინააღმდეგობა: 4 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
Y14730R02500B9W

Y14730R02500B9W

ნაწილი საფონდო: 9831

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
Y116910R0000B9L

Y116910R0000B9L

ნაწილი საფონდო: 202

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y14559K6500B0W

Y14559K6500B0W

ნაწილი საფონდო: 236

წინააღმდეგობა: 9.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y4023190R000B9W

Y4023190R000B9W

ნაწილი საფონდო: 176

წინააღმდეგობა: 190 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
MP7K000TL

MP7K000TL

ნაწილი საფონდო: 201

წინააღმდეგობა: 7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
Y174520K0000F9L

Y174520K0000F9L

ნაწილი საფონდო: 108

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.16W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1624200R000Q0W

Y1624200R000Q0W

ნაწილი საფონდო: 166

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16256K98000Q0W

Y16256K98000Q0W

ნაწილი საფონდო: 209

წინააღმდეგობა: 6.98 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1168390R000B9L

Y1168390R000B9L

ნაწილი საფონდო: 120

წინააღმდეგობა: 390 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.5ppm/°C,

სასურველი
Y145511K0000B0W

Y145511K0000B0W

ნაწილი საფონდო: 234

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y4023250R000B9W

Y4023250R000B9W

ნაწილი საფონდო: 222

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16361K15000T9W

Y16361K15000T9W

ნაწილი საფონდო: 208

წინააღმდეგობა: 1.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162512K4000B0W

Y162512K4000B0W

ნაწილი საფონდო: 208

წინააღმდეგობა: 12.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y14961K27000Q0W

Y14961K27000Q0W

ნაწილი საფონდო: 202

წინააღმდეგობა: 1.27 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y404715K0000D0W

Y404715K0000D0W

ნაწილი საფონდო: 178

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y079750R0000B0W

Y079750R0000B0W

ნაწილი საფონდო: 173

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.04W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±3ppm/°C,

სასურველი
Y16241K14000C9W

Y16241K14000C9W

ნაწილი საფონდო: 167

წინააღმდეგობა: 1.14 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y112191R0000T0L

Y112191R0000T0L

ნაწილი საფონდო: 118

წინააღმდეგობა: 91 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y1625390R000F9W

Y1625390R000F9W

ნაწილი საფონდო: 208

წინააღმდეგობა: 390 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16245K10000D9W

Y16245K10000D9W

ნაწილი საფონდო: 194

წინააღმდეგობა: 5.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y149614K0000Q9W

Y149614K0000Q9W

ნაწილი საფონდო: 229

წინააღმდეგობა: 14 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y16259K42000Q0W

Y16259K42000Q0W

ნაწილი საფონდო: 232

წინააღმდეგობა: 9.42 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y079534R8000B0W

Y079534R8000B0W

ნაწილი საფონდო: 189

წინააღმდეგობა: 34.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±3ppm/°C,

სასურველი